Přejít k obsahu


Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability

Citace: GLESKOVÁ, H., GUPTA, S., ŠUTTA, P. Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability. Organic Electronic, 2013, roč. 14, č. 11, s. 3000-3006. ISSN: 1566-1199
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Structural changes in vapour-assembled n-octylphosphonic acid monolayer with post-deposition annealing: Correlation with bias-induced transistor instability
Rok vydání: 2013
Autoři: Helena Glesková , S. Gupta , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Podáváme zprávu o vztahu mezi strukturou monovrstvy n-octylofosfonické kyseliny (C8PA) implementovaného v nízko-napěťových organických tenkovrstvých tranzistorech (OTFTs) založených na oxidu hliníku/C8PA/pentlenu a kinetice degradace tranzistoru vyvolaného napětím. Strukturní změny monovrstev C8PA deponovaných z plynné fáze, studované infračervenou spektroskopií s Fourierovou transformací (FTIR), byly indukované žíháním. Změny v prahovém napětí, sub-prahový sklon, efektivní pohyblivost, a tranzistorový proud je měřen jako funkce času zkreslení napětí a opatřeny napěťovými exponenciálními funkcemi.
Abstrakt EN: We report on the link between the structure of n-octylphosphonic acid (C8PA) monolayer implemented in low-voltage organic thin-film transistors (OTFTs) based on aluminium oxide/C8PA/pentacene and the kinetics of the transistor bias-induced degradation. Structural changes in the vapour-deposited C8PA monolayer, studied by Fourier Transform Infrared (FTIR) spectroscopy, are induced by annealing. Changes in the threshold voltage, subthreshold slope, ?eld-effect mobility, and the transistor on-current are measured as functions of the bias stress time and fitted with stretched exponential functions.
Klíčová slova

Zpět

Patička