Přejít k obsahu


Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy

Citace: AGBO, S., ŠUTTA, P. Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy. Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures, 2013, roč. 8, č. 4, s. 1461-1473. ISSN: 1842-3582
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Preferred crystal orientation in Thin-Film nanocrystalline Silicon determined by Raman Spectroscopy
Rok vydání: 2013
Autoři: Solomon Nwabueze Agbo Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: V tomto souhrnu dáváme informaci o unikátním přístupu k určování přednostní orientace v hydrogenizovaném tenkovrstvém nanokrystalickém křemíku (nc-Si:H) za použití polarizované Ramanovy spektroskopie (PRS). Tato metoda je založena na faktu, že molekulové vibrace v tenkých vrstvách pod polarizovaným světlem také dává cestu k polarizovaně-závislému Ramanově rozptilu závislému na velikosti krystalové orientace ozářeného materiálu. Závislost Ramanovské intenzity 520cm-1 TO píku na rotaci úhlu je měřena na monokrystalickém křemíkovém waferu s orientací (100), (110) a (111).
Abstrakt EN: In this contribution, we report a unique approach of determining preferred orientation in hydrogenated thin film nanocrystalline silicon (nc-Si:H) using Polarized Raman Spectroscopy (PRS). This method is based on the fact that molecular vibrations in films under polarized light also give rise to polarization-dependent Raman scattered intensity depending on the grain crystal orientation of the irradiated material. First, the dependence of the Raman intensity of the 520 cm -1 TO peak on rotation angle is measured on (100), (110), and (111) single-crystalline silicon wafers
Klíčová slova

Zpět

Patička