Přejít k obsahu


Crystallized Silicon Quantum dots and Nanocrystalline Structures: Experimental Characterization and Atomistic Simulations

Citace: AGBO, S., ŠUTTA, P., CALTA, P., BISWAS, R., PAN, B. Crystallized Silicon Quantum dots and Nanocrystalline Structures: Experimental Characterization and Atomistic Simulations. Toronto, Canada, 2013.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Crystallized Silicon Quantum dots and Nanocrystalline Structures: Experimental Characterization and Atomistic Simulations
Rok vydání: 2013
Autoři: Solomon Nwabueze Agbo Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Pavel Calta Ph.D. , Rana Biswas , Bicai Pan
Abstrakt CZ: Máme syntetizované struktury kvantových křemíkových teček z tenkých vrstev křemíkových multivrstev po žíhací proceduře, která byla provedena pomocí uspořádání rentgenové difrakce (XRD). Toto uspořádání umožňuje real-timové monitorování formování fází kvantových teček. Studovali jsme mikrostrukturu krystalizovaných amorfních křemíkových vrstev během experimentu a zkombinovali jsme ji s atomovou simulací reálných nanokrystalických křemíkových (nc-Si) modelů.
Abstrakt EN: We have synthesized silicon quantum dot structures from thin film silicon multi-layers with an annealing procedure that is integrated in a x-ray diffraction (XRD) set-up. This set-up makes it possible for real-time monitoring of the formation phases of the quantum dots. We study the microstcructure of crystallized amorphous silicon layers through experimental measurements combined with atomistic simulations of realistic nanocrystalline silicon (nc-Si) models.
Klíčová slova

Zpět

Patička