Přejít k obsahu


Reactive high-power impulse magnetron sputtering of optically transparent zirconium dioxide films

Citace: REZEK, J., VLČEK, J., HOUŠKA, J., ČERSTVÝ, R., KOZÁK, T., KOHOUT, J. Reactive high-power impulse magnetron sputtering of optically transparent zirconium dioxide films. Braunschweig, Německo, 2013.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Reactive high-power impulse magnetron sputtering of optically transparent zirconium dioxide films
Rok vydání: 2013
Autoři: Ing. Jiří Rezek , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Ing. Tomáš Kozák Ph.D. , Mgr. Jiří Kohout
Abstrakt CZ: Vysokovýkonové pulzní reaktivní magnetronové naprašování bylo použito pro depozici opticky transparentních vrstev ZrO2. Depozice byly provedeny použitím silně nevyváženého magnetronu s planárním zirkoniovým terčem v argon-kyslíkové atmosféře. Byly použity dvě různé pozice napouštění kyslíku nad erozní zónou terče (směrem k terči a substrátu). Opakovací frekvence zdroje byla 500 Hz, průměrná výkonová hustota v periodě se měnila od 5 do 50 Wcm-2, střída od 2,5 do 10 %. Pro nízké hodnoty výkonové hustoty byly dosaženy obvyklé nízké depoziční rychlosti ~10 nm/min. Použití optimalizované pozice napouštění směrem k substrátu umožňovalo zvýšení kvality vrstev díky menšímu počtu oblouků na terči a zvýšení depoziční rychlosti až na 120 nm/min pro výkonovou hustotu 50 Wcm-2 a střídu 10 %. To je způsobeno výhodami vysokovýkonového pulzního magnetronového výboje.
Abstrakt EN: High-power impulse magnetron sputtering with a pulsed reactive gas flow control, was used for the reactive deposition of optically transparent zirconium dioxide films. Two different locations of the oxygen gas inlets above the target with opposite orientations (to the target or to the substrate surface) were used. The repetition frequency of a pulsed dc power supply was 500 Hz at the average target power density from 5 Wcm-2 to 50 Wcm-2 in a period with duty cycles from 2.5% to 10%. Usual deposition rates, being around10 nm/min, were achieved for the target power density of 5 Wcm-2. An optimized location of the oxygen gas inlets above the target and their orientation to the substrate surface made it possible to improve quality of the films due to minimized arcing at the sputtered target and to enhance their deposition rates up to 120 nm/min for the target power density of 50 Wcm-2 in a period at the duty cycle of 10%. This is due to benefits of the high-power impulse magnetron sputtering discharges.
Klíčová slova

Zpět

Patička