Přejít k obsahu


Effect of Si and N on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-Si-B-C-N films

Citace: ZUZJAKOVÁ, Š., ZEMAN, P., KOHOUT, J., MAREŠ, P., ČERSTVÝ, R., VLČEK, J. Effect of Si and N on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-Si-B-C-N films. Pardubice, Česká republika, 2013.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of Si and N on oxidation resistance of magnetron sputtered Zr-Si-B-C-N films
Rok vydání: 2013
Autoři: Ing. Šárka Zuzjaková , Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Mgr. Jiří Kohout , Ing. Pavel Mareš , Ing. Radomír Čerstvý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: V této práci je systematicky vyšetřován vliv Si a N na vysokoteplotní chování vrstev Zr-Si-B-C-N s cílem zvýšit oxidační odolnost vrstev při zachování vysoké elektrické vodivosti a dobré tvrdosti. Bylo ukázáno, že přidání Si pozitivně ovlivňuje oxidační odolnost vrstev Zr-B-C, což se projeví snížením celkového nárůstu hmotnosti během ohřevu. Vrstvy Zr-Si-B-C připravené s 20% podílem Si v erozní zóně vykazují vysokou tvrdost (22 GPa), nízkou elektrickou rezistivitu a dobrou oxidační odolnost do 750 °C. Přidání N do Zr-Si-B-C vrstev má za následek další zlepšení oxidační odolnosti, což se projeví posunem počátku oxidace k vyšším teplotám. Vrstvy připravené s 20% podílem Si v erozní zóně a 5% podílem N2 v plynné směsi vykazují vysokou tvrdost (22 GPa), mírně vyšší elektrickou rezistivitu a oxidační odolnost až do 1000 °C. Vysoká tvrdost a nízká elektrická rezistivita zůstávají stejné i po ohřevu na 900 °C ve vzduchu.
Abstrakt EN: In the present paper, the effect of Si and N on high temperature behavior of the Zr-Si-B-C-N films is systematically investigated with aim to extend oxidation resistance of the films to higher temperatures while preserving high electrical conductivity and good hardness. The results show that the addition of Si positively affects the oxidation resistance of the Zr-B-C. The Zr-Si-B-C films deposited with the 20% Si fraction in the target erosion area exhibit high hardness (22 GPa), low el. resistivity and good oxidation resistance up to 750 °C. The addition of N into the Zr-Si-B-C films results in a further shift of the onset of oxidation to higher temperatures. The films deposited with the 20% Si fraction in the target erosion area and with the 5% N2 fraction in the gas mixture exhibit high hardness (22 GPa), slightly higher electrical resistivity and oxidation resistance up to 1000 °C. High hardness and low electrical resistivity are preserved up to 900 °C at annealing in air.
Klíčová slova

Zpět

Patička