Přejít k obsahu


Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering

Citace: SHTEREVA, K., TVAROŽEK, V., NETRVALOVÁ, M., ŠUTTA, P., NOVOTNÝ, I., PULLMANNOVÁ, A. Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering. In ECS Transactions. Pennington: The electrochemical Society, 2009. s. 65-72. ISBN: 978-1-56677-749-0 , ISSN: 1938-5862
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effect of Doping on the Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by RF Diode Sputtering
Rok vydání: 2009
Místo konání: Pennington
Název zdroje: The electrochemical Society
Autoři: Krasimira Shtereva , Vladimír Tvarožek , Ing. Marie Netrvalová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ivan Novotný , Andrea Pullmannová
Abstrakt CZ: Dusíkem dopované tenké vrstvy ZnO (ZnO:N) a hliníkem a dusíkem ko-dopované tenké vrstvy ZnO (ZnO:Al:N) byly deponovány na substrát Corning glass vysokofrekvenčním diodovým naprašováním. Obsah dusíku v pracovním plynu byl v rozmezí 0 až 100 %. XRD analýza odhalila zlepšení krystalové struktury a silnější přednostní orientaci ve směru osy c u vrstev ZnO:Al:N v porovnání s ZnO:N. Odhadovaná velikost krystalitů je mezi 140 a 8 nm, což závisí na objemu dusíku. Spektra propustností byly měřeny v rozsahu 200 až 1000 nm vlnových délek. Všechny dusíkem dopované a Al-N2 dopované vrstvy ZnO byly barevné v důsledku zvýšení absorbce blízko absorbční hrany. Optická šířka zakázaného pásu tenkých vrstev ZnO:N a ZnO:Al:N se snižovala se zvýšením obsahu dusíku v pracovním plynu.
Abstrakt EN: Nitrogen-doped zinc oxide thin films (ZnO:N), and aluminum-nitrogen co-doped zinc oxide thin films (ZnO:Al:N), were deposited on Corning glass substrates by RF diode sputtering. The nitrogen (N2) content in the working gas varied from 0 to 100 %. XRD patterns revealed improving of the crystalline structure and stronger expressed c-axis preferential orientation of the aluminum-nitrogen co-doped films compared to nitrogen-doped films. The extimated crystallite size varied from 140 to 8 nm, depending on the N2 content. The transmittance spectra of ZnO:N and ZnO:Al:N flms were acquired over the wavelenght range of 200 < lambda < 1000 nm. All nitrogen-doped and Al-N2 co-doped films were colored as a result of the increase absorption near the band edge. Optical band gap (Eg) of the ZnO:N and ZnO:Al:N thin films decreases with increase of the N2 content in the working gas.
Klíčová slova

Zpět

Patička