Přejít k obsahu


ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT PROPERTIES OF Ba4LaGe3SbSe13 SEMICONDUCTOR

Citace: KHAN, S., KHAN, W., AZAM, S., AL-JAARY, A. ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT PROPERTIES OF Ba4LaGe3SbSe13 SEMICONDUCTOR. International Journal of Innovative Research in Science, Engineering and Technology, 2014, roč. 3, č. 2, s. 9626-9634. ISSN: 2319-8753
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT PROPERTIES OF Ba4LaGe3SbSe13 SEMICONDUCTOR
Rok vydání: 2014
Autoři: Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Wilayat Khan M.Sc. , Sikander Azam M.Sc. , Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D.
Abstrakt CZ: Teorie Full potential linear augmented plane wave based on density functional byly použity k výpočtu hustoty stavů , valenční elektronovou hustotu náboje a transportní vlastnosti Ba4LaGe3SbSe13. Výměna korelace potenciálu byla řešena metodou Engel Vosko generalized gradient approximation. Vypočtená celková hustota stavů objasnila, že Ba4LaGe3SbSe13 získal maloé zakázané pásmo ( 1.60 eV ) . Vypočtené dílčí hustoty stavů ukazují roli orbitálního formování , které tvoří elektronické pásma. Vyhodnocení elektronické hustotoy náboje je založena na smíšeném charakteru iontové - kovalentní vazeb . Jak Se - Sb a Se - Ge mají silné kovalentní vazby s 8,8 % a 10 % ionového chování s Se - La a Se - Ba zvýší na 31,8% a 37,3%. Dále byly vypočteny transportní vlastnosti pomocí Boltzmann transport theory. Průměrné elektrické vodivosti , Seebeck koeficient , tepelné vodivosti a účiník byly vypočteny diskutovány podrobněji v teplotním rozmezí mezi 100 K a 800 K. Polovodíč Ba4LaGe3SbSe13 je možným kandidátem pro termoelektrické technologické aplikace kolem 400 K. Dielektrické prvky tenzoru druhého řádu ( xx , yy a zz ) z transportních vlastností ( vodivost , Seebeckův koeficient tepelné vodivosti a účiníku ) ukazují značnou anizotropii .
Abstrakt EN: Full potential linear augmented plane wave based on density functional theory were applied for calculating the density of states, valence electron charge density and transport properties of Ba4LaGe3SbSe13. The exchange correlation potential was solved by Engel Vosko generalized gradient approximation. The calculated total density of states clarified that Ba4LaGe3SbSe13 acquire small band gap (1.60 eV). The calculated partial density of states show the role of orbital?s that forming the electronic bands. The evaluation of electronic charge density plot established the mixed ionic-covalent nature of the bonds. Both Se?Sb and Se?Ge are strong covalent bonds having 8.8 % and 10 % ionicity while the ionic behavior of Se?La and Se?Ba increase to 31.8 % and 37.3%. In additional the transport properties were calculated using the Boltzmann transport theory. The average tensor components of electrical conductivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity and power factor were calculated discussed in details within temperature range between 100 K and 800 K. The power factor of Ba4LaGe3SbSe13 exposed that it is potential candidate for thermoelectric technological applications around 400 K. The second order dielectric tensor components (xx, yy and zz) of transport properties (conductivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity and power factor) show considerable anisotropy.
Klíčová slova

Zpět

Patička