Přejít k obsahu


Electronic band structure and specific features of AA- and AB-stacking of carbon nitride (C3N4): DFT calculation

Citace: AL-JAARY, A., KHAN, S., AULUCK, S. Electronic band structure and specific features of AA- and AB-stacking of carbon nitride (C3N4): DFT calculation. RSC Advances, 2014, roč. 4, č. 14, s. 6957-6964. ISSN: 2046-2069
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Electronic band structure and specific features of AA- and AB-stacking of carbon nitride (C3N4): DFT calculation
Rok vydání: 2014
Autoři: Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , S. Auluck
Abstrakt CZ: State-of-the-art all-elektron plného potenciálu lineární rozšířené rovinné vlně na základě hustoty funkční teorie byla použita pro výpočet strukturální, elektronická pásová struktura, efektivní hmotu, hustotu stavu, a valenční elektronovou hustotu náboje na AA-a AB uspořádání oxidu nitridu (C3N4). Výpočty byly provedeny pomocí čtyř režimů, a to lokální hustoty přiblížení (LDA-CA) podle Ceperley-Adler, všeobecné gradientové aproximace vyvinuté Perdew Burke a Ernzerhof (GGA-PBE), Engel-Vosko zobecněného gradientu přiblížení (EV-GGA) a v poslední době rozvinuté upravených Becke-Johnson (MBJ) potenciálů
Abstrakt EN: The state-of-the-art all-electron full potential linear augmented plane wave based on density functional theory was applied for calculating the structural, electronic band structure, effective mass, density of state, and valence electron charge density of AA- and AB-stacking of carbon nitride (C3N4). Calculations were performed using four schemes, namely local density approximation (LDA-CA) by Ceperley?Alder, generalized gradient approximation developed by Perdew Burke and Ernzerhof (GGA-PBE), Engel?Vosko generalized gradient approximation (EV-GGA) and the recently developed modified Becke?Johnson (mBJ) potentials
Klíčová slova

Zpět

Patička