Přejít k obsahu


Electronic Structure, Electronic Charge Density and Optical Properties of Organic –Inorganic Hybrid Semiconductor C2H6NTeZn.

Citace: KHAN, W., AZAM, S., KHAN, S., AL-JAARY, A. Electronic Structure, Electronic Charge Density and Optical Properties of Organic ?Inorganic Hybrid Semiconductor C2H6NTeZn.. International Journal of Innovative Research in Science, Engineering and Technology, 2014, roč. 3, č. 2, s. 9579-9588. ISSN: 2319-8753
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Electronic Structure, Electronic Charge Density and Optical Properties of Organic ?Inorganic Hybrid Semiconductor C2H6NTeZn.
Rok vydání: 2014
Autoři: Wilayat Khan M.Sc. , Sikander Azam M.Sc. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D.
Abstrakt CZ: Elektronová struktura, elektronická hustota náboje a optické vlastnosti organicko-anorganického hybridního polovodiče C2H6NTeZn je spočítána použitím techniky full-potential density-functional.Pásová struktura z našeho optimalizovaného krystalu ukazuje polovodičový charakter. Pro pochopení podstaty chemických vazeb v materiálu, spočítáme elektronickou hustotu náboje v (110) a (010) krystalografické mříšce. Ze studie hustoty stavů (DOS) jsme rozpoznali, že v PDOS, the valence band maximum (VBM) významně přispělo hybridizaci Zn-d stavu a méně přispívá hybridizaci stavů N-s a C-s. Dále jsme také vypočítali optické vlastnosti, k získání fyzikálního základu pro latentní použití v optoelektronických zařízeních.
Abstrakt EN: The electronic structure, electronic charge density and optical properties of the organic?inorganic hybrid semiconductor C2H6NTeZn are premeditated by employing the full-potential density-functional technique. The band structure of our optimize crystal indicate semiconductor nature. For understanding the nature of chemical bonding in the investigated material, we calculate the electronic charge density in (110) and (010) crystallographic planes. From the density of states (DOS) study we emphasize that in the PDOS, the valence band maximum (VBM) is contributed strongly from the Zn-d state and a minor contribution from the hybridization of N-s and C-s states. The conduction band minimum is mainly formed from the Zn-s orbital while on the other hand small contribution from Te-p and Te-s states. Further more, we also have calculated the optical properties, to get a physical basis for latent application in optoelectronic devices.
Klíčová slova

Zpět

Patička