Přejít k obsahu


High-temperature behavior of multi-element ceramic Hf-B-Si-C-N films

Citace:
ZEMAN, P., ZUZJAKOVÁ, Š., MAREŠ, P., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J., VLČEK, J. High-temperature behavior of multi-element ceramic Hf-B-Si-C-N films. Garmisch-Partenkirchen, Německo, 2014.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: High-temperature behavior of multi-element ceramic Hf-B-Si-C-N films
Rok vydání: 2014
Autoři: Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Šárka Zuzjaková , Ing. Pavel Mareš , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: Současná studie se věnuje vysokoteplotnímu chování vrstev Hf-B-Si-C-N ve vzduchu. Vrstvy byly deponovány na substráty Si(100) pomocí dc pulsní magnetronové depozice ze složeného terče B4C-Hf-Si (s fixními 15 % Hf a 20 % Si v erozní zóně terče) v dusíko-argonové atmosféře. Vyšetřována byla oxidační odolnost vrstev Hf-B-Si-C-N v syntetickém vzduchu použitím symetrického termogravimetrického systému s vysokým rozlišením. Vrstvy můžeme rozdělit do dvou skupin. Elektricky vodivé vrstvy (s nízkým obsahem dusíku) vykazovaly tvrdost 22 GPa a elektrickou vodivost v rozsahu 4 až 1500 mikro?m. Teplotní stabilita těchto vrstev dosahovala 950 °C. Druhou skupinou jsou nevodivé vrstvy (s vysokým obsahem dusíku) se slabě sníženou tvrdostí. Vrstvy vykazovaly vysokou oxidační odolnost se zanedbatelnou hmotnostní změnou při 1300 °C.
Abstrakt EN: Present study pay attention to high-temperature behaviour of Hf-B-Si-C-N films in air. The films were deposited on Si(100) substrates by dc pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C-Hf-Si target (fixed 15% Hf and 20% Si fraction in the target erosion area) in nitrogen-argon gas mixtures. The oxidation resistance of the Hf-B-Si-C-N films was investigated in synthetic air using a symmetrical high-resolution thermogravimetric system. Changes in the structure, elemental composition and surface morphology of the films were analyzed. The films can be divided into two groups. Electrical conductive (low N2 content) films exhibit hardness of about 22 GPa and electrical resistivity ranging from 4 to 1500 micro?m. Thermal stability of this films reaches 950 °C. Second group are non-conductive films (high N2 content) with slightly decreased hardness. Such films exhibit the highest oxidation resistance with negligible mass changes up to 1300 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička