Přejít k obsahu


Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices

Citace:
AGBO, S., CALTA, P., ŠUTTA, P., VAVRUŇKOVÁ, V., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L. Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices. In Key Engineering Materials. Stafa-Zurich: Trans Tech Publications LTD, 2014. s. 295-298. ISBN: 978-3-03835-051-4 , ISSN: 1013-9826
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Structural Analysis of Silicon Nanostructures Obtained from Thermal Annealing of a-Si:H/SiO2 Superlattices
Rok vydání: 2014
Místo konání: Stafa-Zurich
Název zdroje: Trans Tech Publications LTD
Autoři: Solomon Nwabueze Agbo Ph.D. , Ing. Pavel Calta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Veronika Vavruňková Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová Ph.D. , Ing. Lucie Prušáková Ph.D.
Abstrakt CZ: Tento článek se zabývá syntézou a charakterizací křemíkových kvantových teček (QDs) získaných tepelným žíháním supermřížky hydrogenizovaného amorfního křemíku (a Si:H)/oxidu křemíku (SiO2) deponované plazmatem podpořenou chemickou depozicí (PECVD). Deponované supermřížky byly žíhány ve vysokoteplotní vakuové komoře při teplotách až do 1100 oC, kdy byly in-situ monitorovány fázové transformace pomocí rtg difrakce. Je prokázáno, že k počátku krystalizace a oddělení fází dochází při různých teplotách žíhání v závislosti na tloušťce subvrstvy a-Si:H. Úplná krystalizace tenkých vrstev a precipitace QDs nastala při 1000 oC.
Abstrakt EN: This paper reports the synthesis and characterization of silicon quantum dots (QDs) obtained by thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)/silicon oxide(SiO2) supperlattices deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE-CVD). The asdeposited supperlattices have been annealed in high-temperature vacuum chamber, at temperatures up to 1100 °C, where in-situ phase transformation was monitored by x-ray diffractometry, XRD. It is shown that onset of crystallization and phase separation occur at different annealing temperature depending on the a-Si:H sub-layer thickness. Complete crystallization of the films and precipitation of the QDs occur at 1000 oC.
Klíčová slova

Zpět

Patička