Přejít k obsahu


Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction

Citace:
AGBO, S., CALTA, P., ŠUTTA, P., VAVRUŇKOVÁ, V., NETRVALOVÁ, M., PRUŠÁKOVÁ, L. Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction. Physica Status Solidi A, 2014, roč. 211, č. 7, s. 1512-1518. ISSN: 1862-6300
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Investigation of the transition phases from amorphous silicon-based multilayers to silicon nanostructures by in situ X-ray diffraction
Rok vydání: 2014
Autoři: Solomon Nwabueze Agbo Ph.D. , Ing. Pavel Calta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Veronika Vavruňková Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová Ph.D. , Ing. Lucie Prušáková Ph.D.
Abstrakt CZ: Podáváme výsledky vyšetřování fázové formace křemíkových nanostruktur získaných z tepelného žíhání multivrstev hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si:H) za použití in-situ rengenové difrakce (XRD). Multivrstvy se zkládaly ze střídajících se vrstev a-Si:H a oxidu křemíku. Multivrstvy byly nadeponovány na monokrystalický křemíkový substrát s orientací [100] pomocí plasmou podpořené chemické depozice. Naše výsledky indikují, že krystalizace začínám po vodíkové efuzi při 500°C žíhací teploty, nezávisle na tloušťkách subvrstev.
Abstrakt EN: We report the investigation of the formation phases of silicon nanostructures obtained from thermal annealing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)-based multilayers using in situ X-ray diffractometry, XRD. The multilayers composed of alternating layers of a-Si:H and silicon oxide were deposited on [100]-oriented crystalline silicon substrates using a plasma-enhanced chemical vapor deposition. Our results indicate that crystallization only starts after hydrogen effusion at a 500 °C annealing temperature, independent of the a-Si:H sublayer thickness.
Klíčová slova

Zpět

Patička