Přejít k obsahu


Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.

Citace:
WESTRA, J., VAN SWAAIJ, R., ŠUTTA, P., SHARMA, K., CREATORE, M., ZEMAN, M. Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.. Thin Solid Films, 2014, roč. 568, č. 01.10.2014, s. 38-43. ISSN: 0040-6090
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Study of the effect of boron doping on the solid phase crystallization of hydrogenated amorphous silicon films.
Rok vydání: 2014
Autoři: J.M. Westra , R.A.C.M.M. van Swaaij , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , K. Sharma , M. Creatore , M. Zeman
Abstrakt CZ: Tenkovrstvý polykrystalický křemík na skle získaný krystalizací hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si:H) je zajímavou alternativou pro tenkovrstvé křemíkové solární články. Přestože účinnost solárních článků je stále limitována, tato technologie nabízí excelentní možnosti studia vlivu borem dopovaných krystalizačních procesů a-Si:H. Náš přístup je pomalá krystalizace borem dopovaných tenkých vrstev a-Si:H do pevné fáze krystalizací při teplotách 580 ? 600°C.
Abstrakt EN: Thin-?lm polycrystalline silicon on glass obtained by crystallization of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) ?lms is an interesting alternative for thin-?lm silicon solar cells. Although the solar-cell ef?ciencies are still limited, this technique offers excellent opportunity to study the in?uence of B-doping on the crystallization process of a-Si:H. Our approach is to slowly crystallize B-doped a-Si:H ?lms by solid phase crystallization in the temperature range 580?600°C.
Klíčová slova

Zpět

Patička