Přejít k obsahu


Thermoelectric properties for AA- and AB-stacking of a carbon nitride polymorph (C3N4)

Citace:
AL-JAARY, A. Thermoelectric properties for AA- and AB-stacking of a carbon nitride polymorph (C3N4). RSC Advances, 2014, roč. 4, č. 108, s. 63137-63142. ISSN: 2046-2069
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Thermoelectric properties for AA- and AB-stacking of a carbon nitride polymorph (C3N4)
Rok vydání: 2014
Autoři: Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D.
Abstrakt CZ: Transportní vlastnosti, a elektronická struktura, pro C3N4 byly zkoumány, a bylo nalezena maximální hodnota valenčního pásma (VBM) a vodivostního pásu minimální (CBM) AA-stohování C3N4 se nachází v části zóny (Brillouin BZ), což vede k přímému odstupu pásma asi 0,69 eV (LDA), 0,870 eV (GGA), 1,237 eV (EV-GGA), a 2,589 eV (MBJ).
Abstrakt EN: The transport properties, and electronic structure, for C3N4 were investigated, and it was found that the valence band maximum (VBM) and the conduction band minimum (CBM) of AA-stacking of C3N4 are located at the A point of the Brillouin zone (BZ), resulting in a direct band gap of approximately 0.69 eV (LDA), 0.870 eV (GGA), 1.237 eV (EV-GGA), and 2.589 eV (mBJ).
Klíčová slova

Zpět

Patička