Přejít k obsahu


Thermoelectric, band structure, chemical bonding and dispersion of optical constants of new metal chalcogenides Ba4CuGa5Q12 (Q=S, Se)

Citace:
AL-JAARY, A., AZAM, S. Thermoelectric, band structure, chemical bonding and dispersion of optical constants of new metal chalcogenides Ba4CuGa5Q12 (Q=S, Se). Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2014, roč. 362, č. srpen 2014, s. 204-215. ISSN: 0304-8853
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Thermoelectric, band structure, chemical bonding and dispersion of optical constants of new metal chalcogenides Ba4CuGa5Q12 (Q=S, Se)
Rok vydání: 2014
Autoři: Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D. , Sikander Azam M.Sc.
Abstrakt CZ: Elektronová struktura a disperze optických konstant Ba4CuGa5S12 a Ba4CuGa5Se12 sloučenin byly vypočteny metodou first-principles full-potential linearized augmented plane wave ( FPLAPW ). Využili jsme metody local density approximation ( LDA ), generalized gradient approximation ( GGA ) a Engel - Vosko GGA ( EVGGA ) pro výpočet elektronické struktury, Fermiho povrchu, termoelektrických vlastností, chemických vazeb a disperze optických konstant těchto sloučenin. Zkoumáme vliv nahrazení atomu S za Se, bylo zjištěno, že hustota náboje v okolí " Ga " je větší než Ba4CuGa5Se12 Ba4CuGa5S12. Fermiho plocha Ba4CuGa5S12 se skládá z elektronické plochy protože tam není žádná prázdná oblast, zatímco Ba4CuGa5Se12 obsahuje díry a elektronické plochy, protože tato sloučenina obsahuje jak prázdné tak zastíněné oblasti. Po nahrazení atomu S za Se výšky vrcholů klesají stejně jako odrazivost. Odrazivost je více než 68 % ( 60 % ) pro Ba4CuGa5S12 ( Ba4CuGa5Se12 ) sloučeniny v rozsahu studovaného energie. To znamená, žemateriál bude sloužit jako dobrý reflektor. Nahrazením atomu S za Se se účinnost zvýší na 0,97 - 1,0, což ukazuje na dobré termoelektrické chování obou sloučenin.
Abstrakt EN: The electronic structure and dispersion of optical constants of the Ba4CuGa5S12 and Ba4CuGa5Se12 compounds were calculated by the first-principles full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. We employed the local density approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA) and Engel?Vosko GGA (EVGGA) to calculate the electronic structures, Fermi surface, thermoelectric, chemical bonding and dispersion of optical constants of these compounds. By investigating the influence of replacing S by Se, it has been found that the charge density around ?Ga? is greater in Ba4CuGa5Se12 than Ba4CuGa5S12. Fermi surface of Ba4CuGa5S12 consists of an electronic sheet only because there is no empty region while Ba4CuGa5Se12 contains both holes and electronic sheets because this compound contains both empty and shaded region. As we replace S by Se the heights of the peaks decreases as a results the reflectivity also decreases. It is noticed that the reflectivity is over 68% (60%) for Ba4CuGa5S12 (Ba4CuGa5Se12) compounds within the energy range studied. This implies that the material will serve as a good reflector. By replacing S by Se the figure of merit values increases from 0.97 to 1.0, which shows the good thermoelectric behavior of both compounds.
Klíčová slova

Zpět

Patička