Přejít k obsahu


Tailoring of oxidation resistance and electrical conductivity of magnetron sputtered Zr/Hf-B-Si-C-N films by nitrogen addition

Citace:
ZUZJAKOVÁ, Š., ZEMAN, P., MAREŠ, P., ČERSTVÝ, R., VLČEK, J. Tailoring of oxidation resistance and electrical conductivity of magnetron sputtered Zr/Hf-B-Si-C-N films by nitrogen addition. Dubrovník, Chorvatsko, 2014.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Tailoring of oxidation resistance and electrical conductivity of magnetron sputtered Zr/Hf-B-Si-C-N films by nitrogen addition
Rok vydání: 2014
Autoři: Ing. Šárka Zuzjaková , Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Pavel Mareš , Ing. Radomír Čerstvý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: Tato práce se zabývá vlivem přidávání dusíku do magnetronově naprášených vrstev Zr/Hf-B-Si-C za účelem zvýšení oxidační odolnosti do vyšších teplot za současného udržení vysoké vodivosti a vysoké tvrdosti nadeponovaných vrstev. Bylo ukázáno, že přidání dusíku do vrstev Zr-B-Si-C má za následek zvýšení oxidační odolnosti a posun počátku oxidace k vyšším teplotám. Vrstva Zr12B35Si28C9N12, která má vysokou tvrdost 22 GPa a nízkou elektrickou vodivost 4×10^-5 ?m, vykazuje odolnost vůči oxidaci až do teploty 1000 °C. Podobné hodnoty a trendy byly pozorovány také v případě vrstev Hf-B-Si-C-N. Dále bylo ukázáno, že oba systémy vykazují udržení vysoké tvrdosti i nízké elektrické rezistivity po ohřevu na teplotu 900 °C ve vzduchu.
Abstrakt EN: The present work focuses primarily on the effect of a nitrogen addition into magnetron sputtered Zr/Hf-B-Si-C films in order to extend their oxidation resistance to higher temperatures while preserving high electrical conductivity and good hardness. It was shown that an addition of nitrogen into the Zr-B-Si-C films results in an increase of the oxidation resistance and in a shift of the onset of oxidation to higher temperatures. The Zr12B35Si28C9N12 film with a high hardness of 22 GPa and low electrical resistivity of 4×10^-5 ?m exibits the oxidation resistance up to 1000 °C. Similar values and trends can be observed also in case of the Hf-B-Si-C-N films. It was also found that a high hardness and low electrical resistivity of both groups of these films are preserved at least up to 900 °C when dynamically heated in air.
Klíčová slova

Zpět

Patička