Přejít k obsahu


Oxidation resistant Hf-Si-B-C(-N) films with high electrical conductivity

Citace:
ZEMAN, P., MAREŠ, P., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., VLČEK, J. Oxidation resistant Hf-Si-B-C(-N) films with high electrical conductivity. Montreal, Kanada, 2014.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Oxidation resistant Hf-Si-B-C(-N) films with high electrical conductivity
Rok vydání: 2014
Autoři: Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Pavel Mareš , Ing. Šárka Zuzjaková , Ing. Radomír Čerstvý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc.
Abstrakt CZ: Tato práce se zaměřuje na systematické vyšetřování vlivu přidání Si a N na vysokoteplotní chování vrstev Hf-Si-B-C(-N) s cílem vyvinout vrstvy, které jsou současně elektricky vodivé a oxidačně odolné. Tvrdé vrstvy byly deponovány stejnosměrným pulzním magnetronovým naprašováním z terče B4C-15%Hf-Si v Ar a plynné směsi Ar+N2. Obsah Si ve vrstvách byl měněn frakcí Si v erozní zóně terče, zatímco obsah N frakcí N2 v plynné směsi. Výsledky ukázaly, že optimální přidání Si a N vede ke zlepšení oxidační odolnosti při současném zachování vysoké elektrické vodivosti a dobré trvdosti. Vrstvy Hf-Si-B-C-N deponované při 20% frakci Si a 5?7,5% frakci N2 vykazují teplotní stabilitu nízké elektrické rezistivity a vysoké tvrdosti ve vzduchu až do teploty 950 °C při dynamickém ohřevu.
Abstrakt EN: In this work, the effect of Si and N addition on high-temperature behavior of non oxide ceramic Hf Si B C( N) films is systematically investigated with aim to develop the films being simlutaneously electrically conductive and oxidation resistant. The hard films were deposited by dc pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C-15%Hf-Si target in argon or nitrogen-argon gas mixtures. The Si and N content in the films was varied in a wide range by the Si fraction in the target erosion area and by the N2 fraction in the nitrogen-argon gas mixtures, respectively. The results show that an optimum addition of Si and N results in an improvement of oxidation resistance while preserving high electrical conductivity and good hardness. The Hf Si B C N film deposited at the 20% Si and 5?7.5% N2 fractions exhibits thermal stability of a low electrical resistivity and high hardness up to 950 °C in air when dynamically heated.
Klíčová slova

Zpět

Patička