Přejít k obsahu


Multifunctional nanostructured Hf-B-Si-C films prepared using pulsed magnetron sputtering

Citace:
MAREŠ, P., VLČEK, J., HOUŠKA, J., ČERSTVÝ, R., ZEMAN, P., ZUZJAKOVÁ, Š. Multifunctional nanostructured Hf-B-Si-C films prepared using pulsed magnetron sputtering. Ghent, Belgie, 2014.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Multifunctional nanostructured Hf-B-Si-C films prepared using pulsed magnetron sputtering
Rok vydání: 2014
Autoři: Ing. Pavel Mareš , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Petr Zeman Ph.D. , Ing. Šárka Zuzjaková
Abstrakt CZ: Vrstvy Hf-B-Si-C byly deponovány pulsním magnetronovým naprašováním ze složeného terče B4C-Hf-Si v argonu. Zaměřovali jsme se hlavně na vliv Si na materiál. Nanokolumnární vrstvy Hf-B-C připravené bez křemíku vykazovaly vysokou tvrdost 37 GPa a vysokou elektrickou vodivost (elektrická rezistivita byla 1,8×10^-6 ?m), které doprovázelo vysoké tlakové pnutí 4,9 GPa. Navýšením Si v erozní zóně na 7,5 % vzniká nanokompozitní vrstva Hf-B-Si-C s tvrdostí 37 GPa, s nízkým tlakovým pnutím 0,9 GPa a se zvýšenou oxidační odolností ve vzduchu (nárůst hmotnosti po vyžíhání na 800 ?C byl méně než 0,03 mg/cm^2). Nejvyšší oxidační odolnosti (téměř žádná hmotnostní změna po vyžíhání na 800 ?C) bylo dosaženo pro amorfní vrstvy Hf-B-Si-C připravené při 30 % Si v erozní zóně terče.
Abstrakt EN: Hf?B?Si?C films were deposited using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C?Hf?Si target in pure argon atmosphere. We focus on the effect of the Si content. We found that the nanocolumnar Si-free Hf?B?C films exhibit a high hardness of 37 GPa and a high electrical conductivity (electrical resistivity of 1.8×10^-6 ?m), accompanied by a high compressive stress of 4.9 GPa. An increase in the Si fraction in the target erosion area to 7.5% results in a formation of nanocomposite Hf?B?Si?C films with a high hardness of 37 GPa, a low compressive stress of 0.9 GPa and significantly improved oxidation resistance in air (mass gain after annealing to 800 ?C is below 0.03 mg/cm^2). The highest oxidation resistance in air (almost no mass change after annealing up to 800 ?C) was achieved for the amorphous Hf?B?Si?C films prepared at 30% Si fraction in the target erosion area.
Klíčová slova

Zpět

Patička