Přejít k obsahu


Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

Citace:
CALTA, P., ŠUTTA, P. Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix. 2014.
Druh: POLOPROVOZ, TECHNOLOGIE, ODRŮDA, PLEMENO
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix
Rok vydání: 2014
Název zdroje: Západočeská univerzita v Plzni
Autoři: Ing. Pavel Calta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Byla vyvinuta technologie depozice ultratenkých absorpčních vrstev s křemíkovými nano-krystaly vertikálně oddělenými dielektrickou vrstvou Si3N4. Podle tloušťky křemíkových sub-vrstev a podle úrovně tepelného zpracování (použita pouze chemická depozice) a tloušťky sub-vrstev ve struktuře, byla dosažena průměrná velikost křemíkových nano-krystalů v rozmezí od 3 do 14 nm. Podle očekávání byl kvantový rozměrový efekt výraznější u menších krystalů, přičemž se tento efekt projevil také u multivrstev a-Si:H/Si3N4, v původním post-depozičním stavu (jedno-rozměrový kvantový efekt ? vhodný pro fotonické aplikace). Ačkoliv jak v případě použití SiO2, tak i v případě Si3N4 byly dosaženy přibližně stejné výsledky, rozdíl spočívá v tom, že SiO2 a Si3N4 vytvářejí na hranicích křemíkových krystalitů potenciální bariery o různé velikosti.
Abstrakt EN: Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by Si3N4 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 3 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect ? suitable also for photonic applications). Although, approximately the same results were obtained by using SiO2 and Si3N4 dielectric layers, nevertheless, the difference between SiO2 and Si3N4 is that the potential barriers created on the borders of the silicon crystals have different height.
Klíčová slova

Zpět

Patička