Přejít k obsahu


Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in SiO2 matrix

Citace:
CALTA, P., ŠUTTA, P. Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in SiO2 matrix. 2014.
Druh: POLOPROVOZ, TECHNOLOGIE, ODRŮDA, PLEMENO
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in SiO2 matrix
Rok vydání: 2014
Název zdroje: Západočeská univerzita v Plzni
Autoři: Ing. Pavel Calta Ph.D. , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Byla vyvinuta technologie depozice ultratenkých absorpčních vrstev s křemíkovými nano-krystaly vertikálně oddělenými dielektrickou vrstvou SiO2. Podle tloušťky křemíkových sub-vrstev a podle použité depoziční technologie (chemická anebo fyzikální depozice) byla dosažena průměrná velikost křemíkových nano-krystalů v rozmezí od 4 do 14 nm. Podle očekávání byl kvantový rozměrový efekt výraznější u menších krystalů, přičemž se tento efekt projevil také u multivrstev a-Si:H/SiO2, v původním post-depozičním stavu (jedno-rozměrový kvantový efekt ? vhodný i pro fotonické aplikace).
Abstrakt EN: Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by SiO2 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 4 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect ? suitable also for photonic applications).
Klíčová slova

Zpět

Patička