Přejít k obsahu


Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen

Citace:
ŠUTTA, P., CALTA, P., MÜLLEROVÁ, J., NETRVALOVÁ, M., MEDLÍN, R., SAVKOVÁ, J., VAVRUŇKOVÁ, V. Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen. In Conference Proceedings - 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2014. Bratislava: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2014. s. 53-56. ISBN: 978-1-4799-5474-2
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Transition from amorphous silicon to silicon nitride in thin films deposited by PECVD technology from silane diluted with nitrogen
Rok vydání: 2014
Místo konání: Bratislava
Název zdroje: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Autoři: Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Pavel Calta Ph.D. , J. Müllerová , Ing. Marie Netrvalová Ph.D. , Ing. Rostislav Medlín , Ing. Jarmila Savková Ph.D. , Ing. Veronika Vavruňková Ph.D.
Abstrakt CZ: Série a-SiN:H tenkých vrstev o tloušťce 380? 10 nm a-Si:H/a-Si3N4 multivrstev o tloušťce 515?20 nm byly připraveny pomocí PE CVD technologie ze silanu ředěného argonem (90% Ar/10%SiH4) na korningovém skle, SiO2 a křemíkových substrátech. Depozice tenkých vrstev byla provedena na aparatuře Sanco PD220NA. Multi-vrstvové struktury byly následně tepelně zpracovány při vysokých teplotách (700-1100°C), aby se získali křemíkové nanokrystaly zabudované v dielektrické matrici vhodné pro fotovoltaické a fotonické aplikace. Rentgenová difrakce, Ramanova a FTIR spektroskopie, TEM, SEM, UV VIS spektrofotometrie a spektroskopická elipsometrie byly použity pro vyhodnocení materiálových vlastností vrstev.
Abstrakt EN: Serries of a-SiN:H thin films similar in thickness (380 ? 10 nm) and a-Si:H/a-Si3N4 multi-layered films (515 ? 20 nm) were prepared by PECVD technology from silane mixed with argon (90 % Ar/10 % SiH4) on Corning Eagle 2000 glass, SiO2 and silicon substrates. Deposition of thin films was carried out on a Samco PD 220 NA PECVD system. Multi-layered films were consequently annealed at high temperatures (700 ? 1100 °C) in order to obtain silicon nano-crystals embedded in a dielectric matrix suitable for photovoltaic and photonic applications. X-ray diffraction, Raman and FTIR spectroscopies, TEM, SEM, UV Vis spectrophotometry and spectroscopic ellipsometry were used for the evaluation of material properties of the films
Klíčová slova

Zpět

Patička