Přejít k obsahu


Exploring optoelectronic structure and thermoelectricity of recent photoconductive chalcogenides compounds CsCdInQ3 (Q = Se, Te)

Citace:
KHAN, W., GOUMRI-SAID, S. Exploring optoelectronic structure and thermoelectricity of recent photoconductive chalcogenides compounds CsCdInQ3 (Q = Se, Te). RSC Advances, 2015, roč. 5, č. 13, s. 9455-9461. ISSN: 2046-2069
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Exploring optoelectronic structure and thermoelectricity of recent photoconductive chalcogenides compounds CsCdInQ3 (Q = Se, Te)
Rok vydání: 2015
Autoři: Wilayat Khan M.Sc. , Souraya Goumri-Said
Abstrakt CZ: Fotovodivé quaternaries, CsCdInQ3 (Q = Se, Te), které byly v poslední době syntetizovány a ukázalo se, že se jedná o potenciální materiál pro detekce X-ray a ?-ray. Tyto materiály mají relativně vysokou hustotu a zakázané pásmo v rozmezí od 1,5 do 3 eV, které je v souladu s požadavky na detekčních zařízení. V této práci jsme řešili metalické chalkogenidové CsCdInQ3 yvozené z metody full potential linearize augmented plane wave. Přímá mezera pásu se odhaduje na úrovni EVGGA 2,11 a 1,75 eV pro CsCdInSe3 a CsCdInTe3. Tyto hodnoty jsou v dobré shodě s experimentálními měřeními (2,40 a 1,78 eV), provedených z polovodičovou UV-VIS spektroskopií. Optické parametry včetně dielektrické konstanty, absorpční koeficient, funkce energetických ztrát, odrazivosti a indexu lomu jsou také spočítány a byla zkoumána potenciální role těchto chalkogenidových kovů pro použití aplikací se sluneční energií. Vypočtená mezera optického pásu je ve srovnání s experimentálními hodnotami naměřenými na Lambda 1050 UV-VIS-IR spektrofotometru v rozmezí od 300 do 1500 nm. Termoelektrické vlastnosti naznačují změnu elektrické a tepelné vodivosti, Termoelektrického jevu a účiníku
Abstrakt EN: The photoconductive quaternaries, CsCdInQ3 (Q = Se, Te), have been synthesized recently and have shown to be potential materials for hard X-ray and ?-ray detection. These materials have relatively high densities and band gap in range of 1.5?3 eV, which make them fulfilling the requirement of hard detection devices. In the present work, we investigate the metal chalcogenide CsCdInQ3 as deduced from a full potential linearize augmented plane wave method based on density functional formalism. The direct band gap is estimated at level of EVGGA functional, as 2.11 and 1.75 eV for CsCdInSe3 and CsCdInTe3 respectively. These values are in good agreement with the experimental measurements (2.40 and 1.78 eV) performed from solid-state UV?vis optical spectroscopy. Optical parameters including the dielectric constant, absorption coefficient, energy loss function reflectivity and refractive index are also reported to investigate the potential role of these metal chalcogenide compounds for solar conversion application. Our calculated optical band gap is compared to the measured experimental values on a Lambda 1050 UV?vis-IR spectrophotometer in the range of 300?1500 nm. The thermoelectric properties discuss the variation of the electrical and thermal conductivity, Seebeck coefficient and power factor with the temperature variation, using Boltzmann transport theory.
Klíčová slova

Zpět

Patička