Přejít k obsahu


Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

Citace:
GUPTA, S., HANNAH, S., WATSON, C., ŠUTTA, P., PEDERSEN, R., GADEGAARD, N., GLESKOVA, Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors. Organic Electronics, 2015, roč. 21, č. červen 2015, s. 132-137. ISSN: 1566-1199
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors
Rok vydání: 2015
Autoři: S. Gupta , S. Hannah , C.P. Watson , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , R.H. Pedersen , N. Gadegaard , H. Gleskova
Abstrakt CZ: Čtyři metody oxidace při atmosférickém tlaku byly použity na produkci ultra-tenkých vrstev oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovaný ozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťce dosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny oxidy obsahují nějaké uhlíkové nečistoty, nicméně přítomnost ?OH skopin je pod detekčním limitem.
Abstrakt EN: oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovaný ozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťce dosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny oxidy obsahují nějaké uhlíkové nečistoty, nicméně přítomnost ?OH skopin je pod detekčním limitem.
Klíčová slova

Zpět

Patička