Přejít k obsahu


Nowotny–Juza NaZnX (X = P, As and Sb) as photovoltaic materials

Citace:
AL-JAARY, A. Nowotny?Juza NaZnX (X = P, As and Sb) as photovoltaic materials. Solar Energy, 2015, roč. 115, č. květen 2015, s. 430-440. ISSN: 0038-092X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Nowotny?Juza NaZnX (X = P, As and Sb) as photovoltaic materials
Rok vydání: 2015
Autoři: Prof. Ing. Ali H. Reshak Al-Jaary Ph.D.
Abstrakt CZ: Elektronická pásová struktura Nowotny-Jůza NaZnX (X = P, As a Sb) sloučeniny, ukazuje, že maximální valenční pásmo (VBM) a minimální vodivostní pásmo (CBM) se nachází ve středu Brillouin zóny, což má za následek přímého zakázaného pásma na 1,80, 1,47 a 0,25 eV.
Abstrakt EN: The electronic band structures of Nowotny?Juza NaZnX (X = P, As and Sb) compounds suggest that the valence band maximum (VBM) and the conduction band minimum (CBM) are located at the center of the Brillouin zone, resulting in a direct band gap of about 1.80, 1.47 and 0.25 eV, respectively
Klíčová slova

Zpět

Patička