Přejít k obsahu


Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications

Citace:
AZAM, S., KHAN, S., GOUMRI-SAID, S. Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications. Journal of Solid State Chemistry, 2015, roč. 229, č. Září 2015, s. 260-265. ISSN: 0022-4596
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Exploring the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide compound, Ba4Ga4SnSe12: for photovoltaic applications
Rok vydání: 2015
Autoři: Sikander Azam M.Sc. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Souraya Goumri-Said
Abstrakt CZ: Vzhledem k obrovské poptávce na zkoumání nových materiálů pro energetické aplikace, jsme použili první principiélní výpočty k prozkoumání elektronické struktury a optických vlastností nového kvartérního selenidu, jmenovitě Ba4Ga4SnSe12. Elektronová struktura a optické vlastnosti Ba4Ga4SnSe12 byly vypočteny přes spolehlivou metodu Engle Vosko-GGA (EV-GGA). Zjistili jsme, že Ba4Ga4SnSe12 má přímé zakázané pásmo 2,14 eV umístěný na Gamma. Získáním základní charakteristiky Ba4Ga4SnSe12 jsme studovali lineární optické vlastnosti jako dielektrickou funkci v energetickém rozsahu 0-14 eV. Z dielektrické funkce je patrná slabá směrová anizotropie u obou složek. Absorpční spektrum ukazuje, že je zde možnost větších přechodů přímé a nepřímé inter-band ve viditelných regionech a vykazuje podobné chování s experimentálním spektrem. Ba4Ga4SnSe12 může být použita jako stínící materiál UV záření. Tato studie předpokládá, že Ba4Ga4SnSe12 je slibný pro fotovoltaické aplikace vzhledem k jeho vysokoé absorpci slunečního záření a fotovodivosti ve viditelné části spektra.
Abstrakt EN: Due to huge demand on discovering new materials for energy, we used first-principle calculations to explore the electronic structure and optical properties of new quaternary Selenide, namely Ba4Ga4SnSe12. The electronic structure and the optical properties of Ba4Ga4SnSe12 were calculated through a reliable approach of Engle Vosko-GGA (EV-GGA). We found that Ba4Ga4SnSe12 has a direct band gap of 2.14 eV positioned at Gamma. Acquiring the fundamental characteristics of Ba4Ga4SnSe12, we studied the linear optical properties like dielectric function in the energy range of 0-14 eV. From the dielectric function we notice that there is a weak directional anisotropy for the two components. The absorption spectrum indicates that there is possibility of greater multiple direct and indirect inter-band transitions in the visible regions and shows similar behavior with experimental spectrum. Ba4Ga4SnSe12 can be used as shielding material from UV radiations. Present study predicts that the Ba4Ga4SnSe12 is promising for photovoltaic applications due to their high absorption of solar radiations and photoconductivity in the visible range.
Klíčová slova

Zpět

Patička