Přejít k obsahu


Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb)

Citace:
AZAM, S., KHAN, S., GOUMRI-SAID, S. Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb). Materials Research Buletin, 2015, roč. 70, č. říjen 2015, s. 847-855. ISSN: 0025-5408
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb)
Rok vydání: 2015
Autoři: Sikander Azam M.Sc. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Souraya Goumri-Said
Abstrakt CZ: Chalkopyritové polovodiče přitáhly velkou pozornost vzhledem k jejich potenciálním důsledkům ve fotovoltaických a termoelektrických aplikacích. První principiální výpočty byly provedeny, aby vyzkoumaly elektronické, optické a termoelektrické vlastnosti Zintl tetragonální fázi ACdGeAs2 (= K, Rb) za použití metody plného potenciálu lineární rozšířené metody rovinné vlny a Engle-Vosko GGA (EV-GGA) aproximace. Předkládané sloučeniny mají přímé zakázané pásmo a vazby kovalentního charakteru. Optické přechody jsou zkoumány pomocí dielektrické funkce (skutečné a imaginární části) spolu s dalšími souvisejícími optickými konstantami, včetně indexu lomu, odrazivosti a energie ztrátového spektra. Kombinace výsledků z DFT a Boltzmann transportní teorie, jsme odvodili termoelektrické vlastnosti, jako je Seebeck koeficient, elektrickou a tepelnou vodivost a účinnost, jako funkce teploty. Chalkopyrit Zintl kvartérní Arsenid je vhodným adeptem pro potenciální aplikace jako termoelektrické materiály a fotovoltaické zařízení.
Abstrakt EN: Chalcopyrite semiconductors have attracted much attention due to their potential implications in photovoltaic and thermoelectric applications. First principle calculations were performed to investigate the electronic, optical and thermoelectric properties of the Zintl tetragonal phase ACdGeAs2 (A = K, Rb) using the full potential linear augmented plane wave method and the Engle-Vosko GGA (EV-GGA) approximation. The present compounds are found semiconductors with direct band gap and covalent bonding character. The optical transitions are investigated via the dielectric function (real and imaginary parts) along with other related optical constants including refractive index, reflectivity and energy-loss spectrum. Combining results from DFT and Boltzmann transport theory, we reported the thermoelectric properties such as the Seebeck's coefficient, electrical and thermal conductivity, figure of merit and power factor as function of temperatures. The present Chalcopyrite Zintl quaternary Arsenide's deserve to be explored for their potential applications as thermoelectric materials and for photovoltaic devices.
Klíčová slova

Zpět

Patička