Přejít k obsahu


First principle investigation of electronic structure, chemical bonding and optical properties of tetrabarium gallium trinitride oxide single crystal

Citace:
KHAN, S., AZAM, S. First principle investigation of electronic structure, chemical bonding and optical properties of tetrabarium gallium trinitride oxide single crystal. Materials Research Buletin, 2015, roč. 70, č. říjen 2015, s. 436-441. ISSN: 0025-5408
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: First principle investigation of electronic structure, chemical bonding and optical properties of tetrabarium gallium trinitride oxide single crystal
Rok vydání: 2015
Autoři: Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Sikander Azam M.Sc.
Abstrakt CZ: Pásová struktura, hustota valenčního náboje elektronu a optické vnímavosti tetrabarium galium trinitride (TGT) byly vypočteny pomocí prvních principielních studií. Výpočet elektronické pásové struktury popisuje TGT jako polovodič s přímým zakázaným pásmem 1,38 eV. Valence Elektronické hustoty náboje ověřila nepolární kovalentní povahu vazby. Absorpce na okraji a prvním vrcholu grafu dielektrických prvků tenzorových ukázal elektronový přechod od Np stavu do Ba-d stavu. Vypočtená jednoosá anisotropie (0,4842) a dvojlom (-0,0061) sloučeniny, uvedené v článku je vypočítána, jak postupovala podle spektrální složky dielektrického tenzoru. První pík ve funkci tepelné ztráty (ELOS) ukazuje ztrátu energie rychlých elektronů v materiálu.
Abstrakt EN: The electronic band structure, valence electron charge density and optical susceptibilities of tetrabarium gallium trinitride (TGT) were calculated via first principle study. The electronic band structure calculation describes TGT as semiconductor having direct band gap of 1.38 eV. The valence electronic charge density contour verified the non-polar covalent nature of the bond. The absorption edge and first peak of dielectric tensor components showed electrons transition from N-p state to Ba-d state. The calculated uniaxial anisotropy (0.4842) and birefringence (-0.0061) of present paper is prearranged as follow the spectral components of the dielectric tensor. The first peak in energy loss function (ELOS) shows the energy loss of fast traveling electrons in the material. The first sharp peak produced in ELOS around 10.5 eV show plasmon loss having plasma frequencies 0.1536, 0.004 and 0.066 of dielectric tensor components. This plasmon loss also cause decrease in reflectivity spectra.
Klíčová slova

Zpět

Patička