Přejít k obsahu


High-speed P-MOSFET driver

Citace:
KŘIVKA, J., ŽAHOUR, J., ELIS, L., KOSTURIK, K. High-speed P-MOSFET driver. 2015.
Druh: PROTOTYP, FUNKČNÍ VZOREK
Jazyk publikace: cze
Anglický název: High-speed P-MOSFET driver
Rok vydání: 2015
Název zdroje: Západočeská univerzita v Plzni
Autoři: Ing. Jindřich Křivka , Ing. Jiří Žahour , Ing. Luděk Elis , Ing. Kamil Kosturik Ph.D.
Abstrakt CZ: Tento modul slouží jako budič P-MOSFET tranzistoru zapojený jako horní sériový spínač s maximálním rozsahem napájecího napětí 50 V a zatížením 2 A. Maximální spínací frekvence je 1 MHz a doba zpoždění signálu 84 ns. Vstupní signál musí splňovat parametry 5V CMOS logiky.
Abstrakt EN: This module is designed as P-MOSFET driver which is connected as high side switch with maximum input voltage range 50 V and current range is 2 A. Maximum switching frequency can be 1 MHz a propagation delay time is 84 ns. Input control signal have to meet the requirements of 5V CMOS logics.
Klíčová slova

Zpět

Patička