Přejít k obsahu


Pulsed reactive magnetron sputtering of Hf–B–Si–C–N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C

Citace:
ŠÍMOVÁ, V., VLČEK, J., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J., SOUKUP, Z. Pulsed reactive magnetron sputtering of Hf?B?Si?C?N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C. Paříž, Francie, 2015.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Pulsed reactive magnetron sputtering of Hf?B?Si?C?N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C
Rok vydání: 2015
Autoři: Ing. Veronika Šímová , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Šárka Zuzjaková Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Zbyněk Soukup Ph.D.
Abstrakt CZ: Vrstvy Hf?B?Si?C?N byly deponovány použitím pulzního magnetronového naprašování ze složeného terče B4C?Hf?Si ve směsi Ar + N2 při podílu dusíku v rozmezí od 0 % do 50 %. Byl vyšetřován vliv podílu dusíku ve směsi a vliv střídy na strukturu a vlastnosti vrstev. Struktura vrstvy Hf?B?Si?C připravené v čistém argonu byla nanokompozitní a přidání dusíku do výbojové směsi vedlo k amorfním vrstvám Hf?B?Si?C?N. Všechny vrstvy vykazovaly vysokou tvrdost v rozmezí 17?21 GPa. Nárůst podílu dusíku ve směsi vedl k rychlému zvýšení elektrické rezistivity až do neměřitelných hodnot pro podíly dusíku > 15 %. Na základě měření mechanických a elektrických vlastností vyšetřovaných vrstev Hf?B?Si?C?N byla vybrána pro oxidační testy v syntetickém vzduchu do 1700 °C vrstva Hf7B25Si21C5N40 o tvrdosti 20 GPa a elektrické rezistivitě 0,2 ?m. Tato vrstva vykazovala velmi vysokou oxidační odolnost dokonce nad 1500 °C.
Abstrakt EN: Hf?B?Si?C?N films were deposited using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C?Hf?Si target in an Ar + N2 gas mixture at the N2 fraction ranging from 0% to 50%. The effect of the N2 fraction and of the duty cycle on structure and properties of the films was investigated. The structure of Hf?B?Si?C film prepared in pure argon was nanocomposite and admixture of N2 into the gas mixture resulted in X-ray amorphous Hf?B?Si?C?N films. All films exhibited high hardness in the range of 17?21 GPa. Increase in the N2 fraction led to a rapid rise in the electrical resistivity of the films up to non-measurable values for N2 fractions > 15%. Based on the measurements of mechanical and electrical properties of the Hf?B?Si?C?N films investigated, the Hf7B25Si21C5N40 film possessing hardness of 20 GPa and electrical resistivity of 0.2 ?m was selected for oxidation tests in synthetic air up to 1700 °C. The film exhibited very high oxidation resistance even above 1500 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička