Přejít k obsahu


DFT and modified Becke Johnson (mBJ) potential investigations of the optoelectronic properties of SnGa4Q7 (Q = S, Se) compounds: Transparent materials for large energy conversion

Citace:
KHAN, W., AZAM, S., SHAH, F., GOUMRI-SAID, S. DFT and modified Becke Johnson (mBJ) potential investigations of the optoelectronic properties of SnGa4Q7 (Q = S, Se) compounds: Transparent materials for large energy conversion. Solid State Sciences, 2015, roč. 48, č. říjen 2015, s. 244-250. ISSN: 1293-2558
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: DFT and modified Becke Johnson (mBJ) potential investigations of the optoelectronic properties of SnGa4Q7 (Q = S, Se) compounds: Transparent materials for large energy conversion
Rok vydání: 2015
Autoři: Wilayat Khan M.Sc. , Sikander Azam M.Sc. , FA Shah , S. Goumri-Said
Abstrakt CZ: Elektronová struktura a optické vlastnosti SnGa4Q7 (Q = S, Se), sloučeniny byly zkoumány za použití metody "full potential linearized augmented plane wave", založené na hustotě funkčního formalismu. Elektronová pásová struktura ukázuje nepřímé polovodičové zakázané pásmo dva různé přístupy (EVGGA a MBJ). Hodnota zakázaného pásu se odhaduje na 2,90 (2,25 eV) a 3,11 (2,49 eV) pro EV-GGA a MBJ pro SnGa4S7 (SnGa4Se7), resp. Hustoty stavů ukazují, že SN-5s a S / Se-3P / 4p stavy jsou dominující oblastí kolem Fermi hladiny valenčního pásu maxima a minima vodivosti. Vypočtené hustoty elektronického náboje ukazují, že SnGa4Q7 (Q = S, SE) je směsí mezi iontovými a kovalentními vlastnostmi. Optické parametry včetně dielektrické konstanty, absorpčního koeficientu, odrazivosti, indexu lomu, funkce tepelné ztráty, a dvojitého lomu jsou také zkozkoumány v potenciální roli SnGa4Q7 (Q = S, SE) sloučeniny pro aplikace solární přeměny energie.
Abstrakt EN: Electronic structure and optical properties of SnGa4Q7 (Q= S, Se) compounds were investigated using a full potential linearized augmented plane wave method based on density functional formalism. Electronic band structures show an indirect semiconducting wide band gap two different approaches (EVGGA and mBJ). The band gap values are estimated at 2.90 (2.25 eV) and 3.11 (2.49 eV) for EV-GGA and mBJ for SnGa4S7 (SnGa4Se7), respectively. Densities of states show that Sn-5s and S/Se-3p/4p states are dominating the region around Fermi level form valence band maximum and conduction band minimum. The computed electronic charge density contours demonstrate that SnGa4Q7 (Q= S, Se) show a mixture between ionic and covalent characters. Optical parameters including the dielectric constant, absorption coefficient, reflectivity, refractive index, energy loss function, and birefringence are also reported to investigate the potential role of SnGa4Q7 (Q= S, Se) compounds for solar energy conversion application.
Klíčová slova

Zpět

Patička