Přejít k obsahu


Exploring the electronic structure and optical properties of new inorganic luminescent materials Ba(Si,Al)(5)(O,N)(8) compounds for light-emitting diodes devices

Citace:
AZAM, S., KHAN, S. A., MINÁR, J., GOUMRI-SAID, S. Exploring the electronic structure and optical properties of new inorganic luminescent materials Ba(Si,Al)(5)(O,N)(8) compounds for light-emitting diodes devices. Current Applied Physics, 2015, roč. 15, č. 10, s. 1160-1167. ISSN: 1567-1739
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Exploring the electronic structure and optical properties of new inorganic luminescent materials Ba(Si,Al)(5)(O,N)(8) compounds for light-emitting diodes devices
Rok vydání: 2015
Autoři: Sikander Azam M.Sc. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Doc.Dr. Jan Minár , S. Goumri-Said
Abstrakt CZ: Vzhledem k rostoucí poptávce objevování nových materiálů pro světelné diody, bylo vynaloženo velké úsilí ke zkoumání nových anorganických materiálů, jako luminofory. Využívání metody plného potenciálu z funkční teorie hustoty byly zkoumány elektronické a optické vlastnosti BaAl2Si3O4N4 a BaAlSi4O3N5 polovodičů. Elektronická struktura a optické vlastnosti těchto fosforů byly vypočteny pomocí metody MBJ. Zjistili jsme, že BaAl2Si3O4N4 a BaAlSi4O3N5 mají široké přímé zakázané pásma umístěné na Gamma asi 5,846 a 4,96 eV, resp. Optické vlastnosti, zejména dielektrická funkce, optická odrazivost, index lomu a elektronové energetické ztráty, jsou spočítány z radiačního hlediska až 15 eV. Naše studie naznačuje, že BaAl2Si3O4N4 a BaAlSi4O3N5 by mohly být slibné materiály pro aplikace v LED přístrojů a optoelektroniky.
Abstrakt EN: Due to growing demand on discovering new materials for light-emitting diodes devices, many efforts were made to discover and characterize new inorganic materials such as phosphors. Using the full potential method within density functional theory the electronic and optical properties of BaAl2Si3O4N4 and BaAlSi4O3N5 semiconductors have been investigated. The electronic structure and the optical properties of these phosphors were calculated through a reliable approach of modified Beck-Johnson (mBJ) approach. We found that BaAl2Si3O4N4 and BaAlSi4O3N5 have wide direct band gaps positioned at Gamma about 5.846 and 4.96 eV respectively. The optical properties, namely the dielectric function, optical reflectivity, refractive index and electron energy loss, are reported for radiation up to 15 eV. Our study suggests that BaAl2Si3O4N4 and BaAlSi4O3N5 could be promising materials for applications in the LEDs devices and optoelectronics areas of research.
Klíčová slova

Zpět

Patička