Přejít k obsahu


Optoelectronic and Magnetic Properties of Eu2Si5N8: An Ab-initio Study

Citace:
AZAM, S., KHAN, S. A., KHENATA, R., MURTAZA, G., BIN OMRAN, S., MUHAMMAD, S. Optoelectronic and Magnetic Properties of Eu2Si5N8: An Ab-initio Study. ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG SECTION A-A JOURNAL OF PHYSICAL SCIENCES, 2015, roč. 70, č. 11, s. 897-904. ISSN: 0932-0784
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Optoelectronic and Magnetic Properties of Eu2Si5N8: An Ab-initio Study
Rok vydání: 2015
Autoři: Sikander Azam M.Sc. , Saleem Ayaz Khan M.Sc. , R. Khenata , G. Murtaza , S. Bin Omran , S. Muhammad
Abstrakt CZ: Eu2Si5N8 je považována za nejdůležitější sloučeninu ve vývoji anorganických materiálů s vysokým potenciálem a výkonem. Z tohoto důvodu jsme zkoumali, elektronické, magnetické a optické vlastnosti Eu2Si5N8 pomocí funkční teorie hustoty. Elektronické interakce jsou popsány v rámci všeobecného přiblížení gradientu, GGA + U (kde U je Hubbard coulombovská energie term). Rozdíl vypočtené energie byl 3,5 eV pro zkoumané sloučeniny, což vede k přímému polovodičovému zakázanému pásu. Optické konstanty, včetně dielektrické funkce, index lomu, koeficient absorpce, odrazivosti, a funkci tepelné ztráty byly vypočteny pro záření až do 14 eV. Optické vlastnosti ukazují, že hlavní rozdíly v absorpci, odrazivosti, funkce energetické ztráty a index lomu se vyskytují v infračervené a viditelné časti spektra pro spin-up a spin-down stavy, což činí tento materiál vynikajícím kandidátem na optický paměťové zařízení.
Abstrakt EN: Eu2Si5N8 is considered the most important compound in the development of inorganic materials with high potential and performance. Therefore, the electronic, magnetic and optical properties of Eu2Si5N8 are investigated here using density functional theory. The electronic interactions are described within the generalised gradient approximation, GGA+U (where U is the Hubbard Coulomb energy term). The calculated energy gap was 3.5 eV for the investigated compound, resulting in a direct band gap semiconductor. The optical constants, including the dielectric function, refractive index, absorption coefficient, reflectivity, and energy loss function were calculated for radiation up to 14 eV. The optical properties demonstrate that the main differences in absorption, reflectivity, energy-loss function and refractive index occur in the infrared and visible regions for the spin-up and spin-down states, which makes this material an excellent candidate for optical memory devices.
Klíčová slova

Zpět

Patička