Přejít k obsahu


Engel-Vosko generalized gradient approximation within DFT investigations of optoelectronic and thermoelectric properties of copper thioantimonates(III) and thioarsenate(III) for solar energy conversion

Citace:
KHAN, W., GOUMRI-SAID, S. Engel-Vosko generalized gradient approximation within DFT investigations of optoelectronic and thermoelectric properties of copper thioantimonates(III) and thioarsenate(III) for solar energy conversion. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, roč. 253, č. 3, s. 583-590. ISSN: 0370-1972
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Engel-Vosko generalized gradient approximation within DFT investigations of optoelectronic and thermoelectric properties of copper thioantimonates(III) and thioarsenate(III) for solar energy conversion
Rok vydání: 2016
Autoři: Wilayat Khan M.Sc. , Souraya Goumri-Said
Abstrakt CZ: Elektronické struktury a optické vlastnosti Rb2Cu2Sb2S5, Cs2Cu2Sb2S5 a Rb8Cu6As8S19 byly zkoumány s použitím prvních zásad na základě metody Engel-Vosko generalized gradient approximation (EV-GGA). Vypočtená pásová struktura a hustota stavů se potvrzují vliv sloučeniny na nepřímé zakázané pásmo. Částečná hustota stavů ukazuje, že Cs a Rb prvky jsou vázány iontově na síru, zatímco Cu, Sb, As a S elementy ukazují kovalentní vazby. Z elektronové struktury a s použitím EV-GGA byly vypočteny frekvenčně závislé optické parametry: například reálné a imaginární části dielektrických funkcí, funkce energetické ztráty a odrazivosti. Tyto optické parametry dokazují, že použití této sloučeniny je potenciálně zajímavé pro oblast optoelektronických a optických přístrojů. Teplotně závislé termoelektrické vlastnosti: například elektrické vodivosti, Seebeck koeficientem, tepelné vodivosti a účiníku byly založeny na vypočtené kombinaci DFT výstupu a Boltzmannovy transportní teorie.
Abstrakt EN: The electronic structure and optical properties of Rb2Cu2Sb2S5, Cs2Cu2Sb2S5 and Rb8Cu6As8S19 were investigated using first principle based on Engel-Vosko generalized gradient approximation (EV-GGA). The calculated band structures and density of states confirm that these compounds have an indirect band gap. The bands near the Fermi level are mainly contributed from Cu-3d states along with a small participation of S-3p states. The partial density of states shows that Cs and Rb elements are bonded ionically to sulfur, while Cu, Sb, As and S element show covalent bonds with each other. From the electronic structure and using EV-GGA, the frequency dependent optical parameters such as real and imaginary parts of the dielectric functions, energy loss function and reflectivity were calculated. These optical parameters prove that these compounds are potentially interesting for the field of optoelectronic and optical devices. The temperature dependent thermoelectric properties such as the electrical conductivity, Seebeck coefficient, thermal conductivity and power factor were calculated based on combination of DFT output and Boltzmann transport theory.
Klíčová slova

Zpět

Patička