Přejít k obsahu


Interrelationship between structural,optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach

Citace:
KHAN, S. A., AZAM, S., ŠIPR, O. Interrelationship between structural,optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, roč. 41, č. JAN 2016, s. 45-53. ISSN: 1369-8001
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Interrelationship between structural,optical and transport properties of InP1-xBix: DFT approach
Rok vydání: 2016
Autoři: Saleem Ayaz Khan M.Sc. , Sikander Azam M.Sc. , RNDr. Ondřej Šipr CSc.
Abstrakt CZ: V tomto článku se zaměřujeme na účinek Bi spojování elektronové struktury, optických a termoelektrických vlastností, které jsou studovány pomocí funkční teorie hustoty. Metody the generalized gradient approximation (GGA) proposed by Engel and Vosko (EV-GGA) jsou používány pro výměnu a srovnávací potenciálu. Částečné hustoty stavů jsme zjistili zvýšením koncentrace výsledků Bi ve sloučeninách. Z vypočtené elektronové struktury jsme získali frekvenčně závislou funkci dielektrickou a dalších související optické konstanty. Transportní koeficienty jsou vypočítány s použitím Boltzmannovy teorie, v závislosti na teplotě za předpokladu konstantního relaxačního času. Seebeck koeficient má tendenci klesat s rostoucím obsahem Bi, při nízké teplotě rozhodující hodnotou klesá s rostoucí koncentrací Bi.
Abstrakt EN: In this paper, the effect of Bi concentrations on the electronic structure, optical and thermoelectric properties was studied, using the density functional theory. The form of the generalized gradient approximation (GGA) proposed by Engel and Vosko (EV-GGA) are used for the exchange and correlation potential. From the partial density of states, we find out that increasing the concentration of Bi results in a decrease of band gap of the compound. The PDOS of the InP compound elucidates that the valence bands are mainly comprised of P-p states, while the conduction band is mainly formed by foremost In-s and P-p with small contribution of P-s state while in InP/InB alloys the Bi-p stated strongly contribute in valance bands along with P-p states. From the calculated electronic structure we calculated the frequency dependent dielectric function along with other related optical constant. The transport coefficients are calculated using the semiclassical Boltzmann theory, as a function of temperature assuming a constant relaxation time. The Seebeck coefficient tended to decrease with increasing Bi content, whereas at low temperature figure of merit decreases with increasing the concentration of Bi.
Klíčová slova

Zpět

Patička