Přejít k obsahu


Magnetron sputtered Hf–B–Si–C–N films with ultrahigh thermal stability in air

Citace:
ŠÍMOVÁ, V., VLČEK, J., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J., SOUKUP, Z. Magnetron sputtered Hf?B?Si?C?N films with ultrahigh thermal stability in air. Praha, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Magnetron sputtered Hf?B?Si?C?N films with ultrahigh thermal stability in air
Rok vydání: 2016
Autoři: Ing. Veronika Šímová , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Šárka Zuzjaková Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Zbyněk Soukup Ph.D.
Abstrakt CZ: Práce se zabývá vlivem přidání dusíku do vrstev Hf?B?Si?C?N za účelem zvýšení oxidační odolnosti těchto vrstev. Vrstvy byly připraveny na substráty Si(100) a SiC s využitím pulzního magnetronového naprašování terče B4C?Hf?Si ve výbojové směsi tvořené Ar + N2. Planární nevyvážený magnetron byl napájen pulzním dc zdrojem s frekvencí 10 kHz, průměrným výkonem na terči 500 W a pevně danou střídou 85 % či 50 %. Substráty byly na plovoucím potenciálu při teplotě 450 °C. Vrstva Hf7B25Si21C5N40 s 2 at.% Ar s tvrdostí 20 GPa a elektrickou rezistivitou 0,2 ?m vykazovala velmi vysokou oxidační odolnost i nad 1500 °C.
Abstrakt EN: The present work focuses on the effect of nitrogen addition into Hf?B?Si?C films in order to significantly improve the oxidation resistance of these films. Hf?B?Si?C?N films were deposited onto Si(100) and SiC substrates using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C?Hf?Si target (at a fixed 15% Hf fraction and a 20% Si fraction in the target erosion area) in an Ar + N2 gas mixture at the N2 fraction ranging from 0% to 50%. A planar unbalanced magnetron was driven by a pulsed dc power supply operating at a repetition frequency of 10 kHz with an average target power of 500 W in a period and a fixed 85% or 50% duty cycle. Substrates were held at a floating potential and a temperature of 450 °C. The Hf7B25Si21C5N40 film with 2 at.% of Ar possessing hardness of 20 GPa and electrical resistivity of 0.2 ?m exhibited very high oxidation resistance even above 1500 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička