Přejít k obsahu


Magnetron sputtered Hf–B–Si–C–N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C

Citace:
ŠÍMOVÁ, V., VLČEK, J., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J., SOUKUP, Z. Magnetron sputtered Hf?B?Si?C?N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C. Plzeň, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Magnetron sputtered Hf?B?Si?C?N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C
Rok vydání: 2016
Autoři: Ing. Veronika Šímová , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Šárka Zuzjaková Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Zbyněk Soukup Ph.D.
Abstrakt CZ: Vrstvy Hf?B?Si?C?N byly připraveny na substráty Si(100) a SiC s využitím pulzního magnetronového naprašování terče B4C?Hf?Si ve výbojové směsi tvořené Ar + N2. Planární nevyvážený magnetron byl napájen pulzním dc zdrojem s frekvencí 10 kHz, průměrným výkonem na terči 500 W a pevně danou střídou 85 %. Substráty byly na plovoucím potenciálu při teplotě 450 °C. Byl zkoumán efekt podílu N2 ve výbojové směsi na strukturu a vlastnosti vrstev. Všechny vrstvy vykazovaly vysokou tvrdost v rozsahu 17?21 GPa. Se vzrůstajícím podílem N2 ve výbojové směsi došlo ke strmému vzrůstu elektrické rezistivity vrstev připravených s podílem N2 > 15 % až do neměřitelných hodnot. Na základě měření mechanických vlastností a elektrické vodivosti vrstev Hf?B?Si?C?N byla vrstva Hf7B25Si21C5N40 s tvrdostí 20 GPa a elektrickou rezistivitou 0,2 ?m vybrána pro oxidační testy až do teploty 1700 °C.
Abstrakt EN: Hf?B?Si?C?N films were deposited onto Si(100) and SiC substrates using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C?Hf?Si target in an Ar + N2 gas mixture. A planar unbalanced magnetron was driven by a pulsed dc power supply operating at a repetition frequency of 10 kHz with an average target power of 500 W and a fixed 85% duty cycle. Substrates were held at a floating potential and a temperature of 450 °C. The effect of the N2 fraction in the gas mixture on structure and properties of the films was investigated. All films exhibited high hardness in the range of 17?21 GPa. Increase in the N2 fraction in the gas mixture led to a rapid rise in the electrical resistivity of the films up to non-measurable values for N2 fractions > 15%. Based on the measurements of mechanical properties and electrical conductivity of the Hf?B?Si?C?N films investigated, the Hf7B25Si21C5N40 film possessing hardness of 20 GPa and electrical resistivity of 0.2 ?m was selected for oxidation tests in synthetic air up to 1700 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička