Přejít k obsahu


Magnetron sputtered Hf-B-Si-C-N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C

Citace:
ŠÍMOVÁ, V., VLČEK, J., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J., SOUKUP, Z. Magnetron sputtered Hf-B-Si-C-N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C. Garmisch-Partenkirchen, Německo, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Magnetron sputtered Hf-B-Si-C-N films with high oxidation resistance in air above 1500 °C
Rok vydání: 2016
Autoři: Ing. Veronika Šímová , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Šárka Zuzjaková Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Zbyněk Soukup Ph.D.
Abstrakt CZ: Vrstvy HfB-Si-C-N byly deponovány pulzním magnetronovým naprašováním ze složeného terče B4C-Hf-Si ve směsi Ar + N2 při podílu dusíku v rozmezí od 0 % do 50 %. Byl vyšetřován vliv podílu dusíku ve směsi a vliv střídy na strukturu a vlastnosti vrstev. Struktura vrstvy Hf-B-Si-C připravené v čistém argonu byla nanokompozitní a přidání dusíku do výbojové směsi vedlo k amorfním vrstvám Hf-B-Si-C-N. Všechny vrstvy vykazovaly vysokou tvrdost v rozmezí 17?21 GPa. Nárůst podílu dusíku ve směsi nad 15 % vedl k rychlému zvýšení elektrické rezistivity až do neměřitelných hodnot. Na základě měření mechanických a elektrických vlastností vyšetřovaných vrstev Hf-B-Si-C-N byla vrstva Hf7B25Si21C5N40 o tvrdosti 20 GPa a elektrické rezistivitě 0,2 ?m vybrána pro oxidační testy v syntetickém vzduchu do 1700 °C. Tato vrstva vykazovala velmi vysokou oxidační odolnost nad 1500 °C.
Abstrakt EN: Hf-B-Si-C-N films were deposited using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C-Hf-Si target in an Ar + N2 gas mixture at the N2 fraction ranging from 0% to 50%. The effect of the N2 fraction and of the duty cycle on structure and properties of the films was investigated. The structure of Hf-B-Si-C film prepared in pure argon was nanocomposite and admixture of N2 into the gas mixture resulted in X-ray amorphous Hf-B-Si-C-N films. Films exhibited high hardness in the range of 17?21 GPa. Increase in the N2 fraction above 15% led to a rapid rise in the electrical resistivity of the films up to non-measurable values. Based on the measurements of mechanical and electrical properties of the Hf-B-Si-C-N films investigated, the Hf7B25Si21C5N40 film possessing hardness of 20 GPa and electrical resistivity of 0.2 ?m was selected for oxidation tests in synthetic air up to 1700 °C. The film exhibited very high oxidation resistance even above 1500 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička