Přejít k obsahu


Polovodičové součástky SiC a GaN vhodné pro výkonovou elektroniku

Citace:
ŠTĚPÁNEK, J. Polovodičové součástky SiC a GaN vhodné pro výkonovou elektroniku. Západočeská univerzita v Plzni, 2016.
Druh: ZPRÁVA
Jazyk publikace: cze
Anglický název: The Semiconductor components on the substrate of SiC and GaN
Rok vydání: 2016
Název zdroje: Západočeská univerzita v Plzni
Autoři: Ing. Jan Štěpánek , Doc. Ing. Pavel Drábek Ph.D. ,
Abstrakt CZ: Výzkumná zpráva se zabývá problematikou moderních polovodičových součástek s velkou šířkou zakázaného pásma.
Abstrakt EN: The research report deals with modern semiconductor devices with a stable wide bandgap.
Klíčová slova

Zpět

Patička