Přejít k obsahu


Kinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphoussilicon —Time-resolved Raman spectroscopy and computersimulations

Citace:
OČENÁŠEK, J., NOVÁK, P., PRUŠÁKOVÁ, L. Kinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphoussilicon ?Time-resolved Raman spectroscopy and computersimulations. APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, roč. 392, č. 15 January 2017, s. 867-871. ISSN: 0169-4332
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Kinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphoussilicon ?Time-resolved Raman spectroscopy and computersimulations
Rok vydání: 2017
Autoři: Ing. Jan Očenášek Ph.D. , Ing. Petr Novák Ph.D. , Ing. Lucie Prušáková Ph.D.
Abstrakt CZ: Tato práce ukazuje, že laserem indukovaná krystalizace instrumentovaná Ramanovo spektroskopií je, z obecného pohledu, efektivním nástrojem pro studium kinematiky tepelne aktivované crystalizace. Je ukázáno, pro krystalizaci pevné fáze amorfního křemíku ve formě tenké vrstvy, že integrální intenzita Ramanovo spektra odpovídající krystalické fázi roste lineárné v časově logaritmickém měřítku. Byl vytvořen matematický model pro simulaci krystalizace v nehomogenním teplotním poli. Model je založen na řešení Ekonalovo rovnice a Arheniovo zákoně. Počítačové simulace úspěšně aproximují kinetiku krystalizace.
Abstrakt EN: This study demonstrates that a laser-induced crystallization instrumented with Raman spectroscopy is, in general, an effective tool to study the thermally activated crystallization kinetics. It is shown, for the solid phase crystallization of an amorphous silicon thin film, that the integral intensity of Raman spectra corresponding to the crystalline phase grows linearly in the time-logarithmic scale. A mathematical model, which assumes random nucleation and crystal growth, was designed to simulate the crystallization process in the non-uniform temperature field induced by laser. The model is based on solving the Eikonal equation and the Arhenius temperature dependence of the crystal nucleation and the growth rate. These computer simulations successfully approximate the crystallization process kinetics and suggest that laser-induced crystallization is primarily thermally activated.
Klíčová slova

Zpět

Patička