Přejít k obsahu


Reactive high-power impulse magnetron sputtering of Al–O–N films with tunable composition and properties

Citace:
BELOSLUDTSEV, A., VLČEK, J., HOUŠKA, J., ČERSTVÝ, R., HAVIAR, S. Reactive high-power impulse magnetron sputtering of Al?O?N films with tunable composition and properties. Gent, Belgie, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Reactive high-power impulse magnetron sputtering of Al?O?N films with tunable composition and properties
Rok vydání: 2016
Autoři: Alexandr Belosludtsev , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , RNDr. Stanislav Haviar Ph.D.
Abstrakt CZ: Pro depozici vrstev Al?O?N s laditelným složením a vlastnostmi byla použita modifikovaná verze vysokovýkonového pulzního magnetronového naprašování s pulzním řízením průtoku reaktivního plynu. Vrstvy byly deponovány pomocí silně nevyváženého magnetronu s planárním Al terčem o průměru 100 mm ve výbojové směsi argonu, kyslíku a dusíku při celkovém tlaku 2 Pa. Podíl dusíku v reaktivním plynu se pohybuje v rozmezí od 0 do 100 %. Deset napěťových pulzů o celkové délce 500 ?s s opakovací frekvencí 350 Hz a průměrnou hodnotou výkonu na terč 1 kW bylo udržováno konstantní pro všechny depozice. Během depozice byla teplota substrátu nižší než 120 °C (žádný externí ohřívač), substráty byly na plovoucím potenciálu ve vzdálenosti 100 mm od terče. Pulzní řízení průtoku reaktivních plynů (O2 a N2) umožnilo připravit vysoce kvalitní vrstvy Al?O?N s různým složením s nízkým kompresním pnutím (méně než 0,2 GPa). Prvkové složení vrstev se měnilo postupně z Al2O3 na AIN.
Abstrakt EN: A modified version of high-power impulse magnetron sputtering with a pulsed reactive gas flow control was used for reactive depositions of Al?O?N films with tunable composition and properties. The depositions were performed using a strongly unbalanced magnetron with a planar aluminium target of 100 mm diameter in argon-oxygen-nitrogen gas mixtures at the argon pressure of 2 Pa. The nitrogen fractions in the reactive gas flow were in the range from 0 to 100%. Ten voltage oscillations with the total length of 500 ?s, the repetition frequency 350 Hz and average target power of 1 kW were kept constant for all depositions. The substrate temperatures were less than 120 °C (no external heater) during the depositions of films on a floating substrate at the distance of 100 mm from the target. A pulsed reactive gas (O2 and N2) flow control made it possible to produce high-quality Al?O?N films of various elemental compositions with low compressive stress (less than 0.2 GPa). Elemental compositions of films were varied gradually from Al2O3 to AlN.
Klíčová slova

Zpět

Patička