Přejít k obsahu


Controlled reactive HiPIMS of thermochromic VO2 films at a low deposition temperature (300 °C)

Citace:
KOLENATÝ, D., VLČEK, J., KOZÁK, T., HOUŠKA, J., ČERSTVÝ, R. Controlled reactive HiPIMS of thermochromic VO2 films at a low deposition temperature (300 °C). Gent, Belgie, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Controlled reactive HiPIMS of thermochromic VO2 films at a low deposition temperature (300 °C)
Rok vydání: 2016
Autoři: Ing. David Kolenatý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Tomáš Kozák Ph.D. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý
Abstrakt CZ: Reaktivní HiPIMS se zpětnovazebným pulzním řízením reaktivního plynu a optimalizovaným umístěním přívodu reaktivního plynu před terč a jeho orientace směrem k substrátu umožňuje připravit krystalické termochromické VO2 vrstvy při vysokých hodnotách maximální výkonové hustoty v pulzu až 5 kW/cm^2. Termochromické VO2 vrstvy (tloušťka 80 nm) byly připraveny na skleněných substrátech na plovoucím potenciálu bez použití pomocné mezivrstvy pro lepší nukleaci a krystalický růst při teplotě 300 °C. VO2 vrstvy připravené při délce pulzu 50 ?s vykazovaly při fázové transformaci z polovodivé struktury na vodivou strukturu výraznou změnu transmitance v infračervené oblasti (?T(2500 nm) ~ 45 % mezi 25 °C a 90 °C) a v elektrické rezistivitě (z 0,55 ?.cm na 0,0015 ?.cm). Dále bylo u těchto vrstev dosaženo nižší přechodové teploty (58 °C) než u objemového VO2 (68 °C).
Abstrakt EN: Reactive HiPIMS with a feed-back pulsed reactive gas (oxygen) flow control and an optimized location of the oxygen gas inlets in front of the target and their orientation toward the substrate made it possible to form crystalline thermochromic VO2 films at very high values of the maximum target power density of up to 5 kW/cm^2 in a pulse. The thermochromic VO2 films (80 nm thick) were deposited onto floating glass substrates without any nucleation?promoting ?seed? layer at the temperature of 300 °C. The VO2 films prepared at the voltage pulse duration of 50 ?s exhibited a high IR modulation (?T(2500 nm) ~ 45% between 25 °C and 90 °C) and a large drop in the electrical resistivity (from 0.55 ?.cm to 0.0015 ?.cm) after the semiconductor-to-metal transition, and a lower transition temperature of 58 °C than the bulk VO2 (68 °C).
Klíčová slova

Zpět

Patička