Přejít k obsahu


Magnetron sputtered high-temperature Hf–B–Si–C–N films with controlled electrical conductivity and optical transparency

Citace:
ŠÍMOVÁ, V., VLČEK, J., ZUZJAKOVÁ, Š., ČERSTVÝ, R., HOUŠKA, J. Magnetron sputtered high-temperature Hf?B?Si?C?N films with controlled electrical conductivity and optical transparency. Gent, Belgie, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Magnetron sputtered high-temperature Hf?B?Si?C?N films with controlled electrical conductivity and optical transparency
Rok vydání: 2016
Autoři: Ing. Veronika Šímová , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. Šárka Zuzjaková Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Hf?B?Si?C?N vrstvy byly deponovány pulzním magnetronovým naprašováním ze složeného terče B4C?Hf?Si ve směsi Ar+N2 při podílu dusíku v rozmezí od 0 % do 50 %. Planární nevyvážený magnetron (terč 127×254 mm^2) byl napájen pulzním dc zdrojem s frekvencí 10 kHz, průměrným výkonem na terči 500 W a délkou pulzu 50 ?s a 85 ?s. Substráty byly na plovoucím potenciálu při teplotě 450 °C. Opticky netransparentní vrstva Hf7B23Si22C6N40 s 2 at. % Ar připravená při 15% podílu dusíku ve směsi a délce pulzu 50 ?s vykazovala tvrdost 20 GPa a elektrickou rezistivitu 4 ?m. Vysoce transparentní a elektricky nevodivá vrstva Hf6B21Si19C4N47 s 3 at. % Ar s tvrdostí 20 GPa byla připravena při 25% podílu dusíku ve směsi a délce pulzu 50 ?s. Obě vrstvy vykazují velmi vysokou oxidační odolnost na vzduchu až do 1600 °C.
Abstrakt EN: Hf?B?Si?C?N films were deposited onto Si(100) and SiC substrates using pulsed magnetron co-sputtering of a single B4C?Hf?Si target (at a fixed 15% Hf fraction and a 20% Si fraction in the target erosion area) in Ar+N2 gas mixtures at the N2 fraction ranging from 0% to 50%. A planar unbalanced magnetron (127×254 mm^2 target) was driven by a pulsed dc power supply operating at a repetition frequency of 10 kHz with an average target power of 500 W in a period and voltage pulse durations of 50 ?s and 85 ?s (duty cycles of 50% and 85%). The substrates were held at a floating potential and a temperature of 450 °C. The as-deposited, optically non-transparent Hf7B23Si22C6N40 film with 2 at.% of Ar possessing a hardness of 20 GPa and electrical resistivity of 4 ?m, which was prepared with the 15% N2 fraction in the gas mixture at the voltage pulse duration of 50 ?s, and the as-deposited, highly optically transparent and electrically insulating Hf6B21Si19C4N47 film with 3 at.% of Ar possessing a hardness of 20 GPa, which was prepared with the 25% N2 fraction in the gas mixture and at the same voltage pulse duration, exhibited a very high oxidation resistance in air even up to 1600 °C.
Klíčová slova

Zpět

Patička