Přejít k obsahu


Střídač s GaN tranzistory

Citace:
JÁRA, M. Střídač s GaN tranzistory. 2016.
Druh: PROTOTYP, FUNKČNÍ VZOREK
Jazyk publikace: cze
Anglický název: Inverter with GaN transistors
Rok vydání: 2016
Název zdroje: Západočeská univerzita v Plzni
Autoři: Ing. Martin Jára ,
Abstrakt CZ: Funkční vzorek představuje jednofázový střídač založený na tranzistorech E-HEMT GaN typu GS66516T od firmy Gan Systems, Inc. Díky těmto prvkům (650V, 25m?) je možné pracovat se spínacími frekvencemi v řádů stovek kilohertzů při výkonu jednotek kilowatů. Měnič obsahuje čtyřkanálový plně izolovaný budící obvod s nízkým zpožděním (~20ns) a vysokou odolností vůči dU/dt (>50kV/?s). Měnič je připraven pro komerčně dostupné systémy vodního chlazení.
Abstrakt EN: Single phase H-bridge inverter based on GaN E-HEMT transistors (650V 25m?). The inverter can deliver up to several kW o f power at switching frequencies of higher kHz. Four channel driver is an integral part of the coverter as well.
Klíčová slova

Zpět

Patička