Přejít k obsahu


Comparative study of ZnO thin film prepared by pulsed laser deposition - Comparison of influence of different ablative lasers

Citace:
BRUNCKO, J., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., MICHALKA, M., VINCZE, A., KOVÁČ, J. Comparative study of ZnO thin film prepared by pulsed laser deposition - Comparison of influence of different ablative lasers. Vacuum, 2017, roč. 138, č. APR 2017, s. 184-190. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Comparative study of ZnO thin film prepared by pulsed laser deposition - Comparison of influence of different ablative lasers
Rok vydání: 2017
Autoři: Jaroslav Bruncko , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ing. Marie Netrvalová Ph.D. , Miroslav Michalka , Andrej Vincze , Jaroslav Kováč
Abstrakt CZ: Článek se zabývá transparentními vodivými oxidy na bázi ZnO, které byly připraveny pulsní laserovou depozicí (PLD) a jejich různými vlastnostmi, které jsou porovnány v rozsahu aplikovaných ablačních laserů: (1) pevnolátkový Nd:YAG laser pracující s třetí harmonickou (vlnová délka 355 nm, 15 ns délka pulzu a 10 Hz pulzní frekvence) a (2) excimerový laser pracující s KrF plynnou směsí (248 nm, 20 ns and 10 Hz). První část se zabývá vlivem tlaku kyslíku na krystalografické parametry nedopovaných tenkých vrstev ZnO. Jako optimální byl vybrán tlak v rozmezí 2 až 5 Pa. Navíc byl zkoumán vliv různých dopovacích prvků, hliníku a galia, v daném prostředí. Výsledky ukázaly, že male množství (cca 0,15 hmotnostního %) Al (nebo Ga), podstatně zlepšilo koncentraci nosičů náboje s adekvátním snížením resistivity. Dále byly zkoumány optické vlastnosti ? propustnost a šířka zakázaného pásu. Srovnání použitých laserů odhalilo v podstatě pozitivní vliv na elektrické vlastnosti pro excimerový laser.
Abstrakt EN: The contribution deals with transparent conductive oxides based on ZnO, which were prepared by Pulsed Laser Deposition (PLD) and their different properties are compared in the scope of the applied ablating lasers: (1) a solid state Nd:YAG laser working at third harmonic generation (wavelength 355 nm, 15 ns pulse length and 10 Hz pulsing frequency) and (2) an excimer laser working with KrF gas composition (248 nm, 20 ns and 10 Hz). The first part of the study deals with the influence of the oxygen pressure on crystallographic parameters of undoped ZnO films and the pressure interval between 2 and 5 Pa was assessed as an optimum. Moreover, the influence of different doping elements, aluminum and gallium, respectively, were analyzed. The results showed that a small amount (?0.15% wt. content) of Al (or Ga, respectively) substantially improved carrier concentration with adequate resistivity decrease. Furthermore, optical properties: ? transmittances and energy band-gap shift were investigated. Comparison between applied lasers revealed a substantially positive effect on electrical properties for the excimer laser.
Klíčová slova

Zpět

Patička