Přejít k obsahu


Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering

Citace: [] SHTEREVA, K., FLICKYNGEROVÁ, S., ŠUTTA, P., NETRVALOVÁ, M., NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V. Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering. In Journal of Physics: Conference Series. BRISTOL: IOP PUBLISHING LTD, 2008. s. 1-4., ISSN: 1742-6588
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering
Rok vydání: 2008
Místo konání: BRISTOL
Název zdroje: IOP PUBLISHING LTD
Autoři: K. Shtereva , Soňa Flickyngerová , Pavol Šutta , Marie Netrvalová , Ivan Novotný , Vladimír Tvarožek
Abstrakt CZ: Vysoce transparentní vodivá tenká vrstva ZnO dopovaného Al byla deponována vysokofrekvenčním diodovým naprašováním z terče ZnO se dvěma váhovými procenty Al2O3 na skleněný substrát. Vysokofrekvenční výkon a teplota substrátu modifikují jejich strukturu, morfologii povrchu, elektrické a optické vlastnosti. Pomocí XRD analýzy byla zjištěna přednostní orientace struktury ve směru osy c. Zkoumané vrstvy ZnO:Al mají nízkou elektrickou rezistivitu a vysokou optickou propustnost v oblasti viditelného záření. Šířka optického zakázaného pásu se zvyšuje s rostoucí koncentrací nosičů náboje.
Abstrakt EN: High transparent and conductive ZnO:Al thin film were prepared by RF diode sputtering from ZnO + 2 wt. % Al2O3 target on Corning glass substrates. The RF power and the substrate temperature modified their structure and surface morfology, electrical and optical parameters. The XRD patterns reveal a preferential c-axis orientation. The developed ZnO:Ale have a low electrical resistivity and high optical transmittance in the visible region. The direct optical band gap increases with the increasing carrier concentration.
Klíčová slova

Zpět

Patička