Přejít k obsahu


Microstructure related characterization of a-Si:H thin films PECVD deposited under varied hydrogen dilution

Citace: [] VAVRUŇKOVÁ, V., MÜLLEROVÁ, J., ŠUTTA, P. Microstructure related characterization of a-Si:H thin films PECVD deposited under varied hydrogen dilution. Advances in Electrical and Electronic Engineering, 2007, roč. 6, č. 3, s. 108-111. ISSN: 1336-1376
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Microstructure related characterization of a-Si:H thin films PECVD deposited under varied hydrogen dilution
Rok vydání: 2007
Autoři: Ing. Veronika Vavruňková , Jarmila Müllerová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D.
Abstrakt CZ: Příspěvek se zabývá strukturními a optickými vlastnostmi tenkých vrstev hydrogenizovaného amorfního křemíku deponovaných PECVD technologií ze silanu zředěného vodíkem v různém rozsahu. U vzorků deponovaných se zředěním menším než 30 byla detekována amorfní struktura (a-Si:H) s krystality o velikosti několik nanometrů, které reprezentují uspořádání na střední vzdálenost v a-Si:H. Optická charakteristika potvrdila rostoucí uspořádání s rostoucím zředěním. Optická šířka zakázaného pásu byla rostoucí funkcí zředění.
Abstrakt EN: We report on the structure and optical properties of hydrogenated silicon thin films deposited by plasma - enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from silane diluted with hydrogen in a wide dilution range. The samples deposited with dilutions below 30 were detected as amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) with crystalline grains of several nanometers in size which represent the medium-range order of a-Si:H. The optical characterization confirmed increasing ordering with the increasing dilution. The optical band gap was observed to be increasing function of the dilution.
Klíčová slova

Zpět

Patička