Přejít k obsahu


Using of the modern semiconductor devices based on the SiC

Citace: [] DRÁBEK, P. Using of the modern semiconductor devices based on the SiC. Advances in Electrical and Electronic Engineering, 2008, roč. 7, č. 1-2, s. 106-109. ISSN: 1336-1376
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Using of the modern semiconductor devices based on the SiC
Rok vydání: 2008
Autoři: Pavel Drábek
Abstrakt CZ: Tento článek se zabývá možností použití součástek SiC ve výkonové elektronice. Jsou zde prezentovány základní základní problematika jejich použití a srovnání vlastností se současnými výkonovými prvky (IGBT, MOSFET, CoolFET).
Abstrakt EN: This paper deals with possibility of application of the semiconductor devices based on the SiC (Silicon Carbide) in the power electronics. Basic synopsis of SiC based materials problems are presented, appreciation of their properties in comparison with current using power semiconductor devices ((IGBT, MOSFET, CoolFET transistors).
Klíčová slova

Zpět

Patička