Přejít k obsahu


Influence of deposition regime on physical properties of gallium doped zinc oxide films

Citace: [] NETRVALOVÁ, M., NOVOTNÝ, I., PRUŠÁKOVÁ, L., TVAROŽEK, V., ŠUTTA, P. In?uence of deposition regime on physical properties of gallium doped zinc oxide ?lms. Vacuum, 2012, roč. 86, č. 6, s. 707-710. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: In?uence of deposition regime on physical properties of gallium doped zinc oxide ?lms
Rok vydání: 2012
Autoři: Ing. Marie Netrvalová , Ivan Novotný , Ing. Lucie Prušáková , Vladimír Tvarožek , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. ,
Abstrakt CZ: Tenké vrstvy oxidu zinečnatého dopovaného galiem byly deponované z keramického terče ZnO + 2 wt% Ga2O3 na substrát Corning glass v argonové atmosféře v rf diodové naprašovací aparatuře. Substráty byly uloženy ve 3 různých pozicích proti terči - v horizontální poloze a pod úhlem 60 a 80° vůči horizontální poloze. Byly vytvořeny 2 série vzorků s tloušťkou mezi 700-1000 nm: jedna při pokojové teplotě a druhá při 200°C. XRD, optické a elektrické experimenty ukazují, že vrstvy jsou polykrystalické s průměrnou velikostí krystalitů mezi 30 a 80 nm, integrální transmitancí v mezích 400-1000 nm se zvyšuje z 85 na 90 % a hodnoty optické šířky zakázaného pásu rostou od 3 do 3,2 eV se zvyšující se depoziční teplotou.
Abstrakt EN: Zinc oxide ?lms doped by gallium were deposited using RF diode sputtering from a ceramic ZnO + 2% Ga2O3 target on Corning glass in argon atmosphere. Samples were supported in three different positions against a substrate holder e horizontal, and at 60 and 80° to the horizontal position. Two series of samples 700-1000 nm in thickness were prepared: one at room temperature (RT) and the second at 200°C. XRD, optical and electrical experiments indicated that the ?lms are polycrystalline having average crystallite sizes from 30 to 80 nm, integrated transmittances in the range of 400-1000 nm increased from 85 to 90 percent and optical band-gap values increased from 3 to 3.2 eV with higher deposition temperature. The resistivity of the obliquely sputtered samples positioned at 80° to the substrate holder was one order lower than the horizontally positioned samples. No signi?cant changes were observed in case of optical properties of the ?lms in dependence on the tilt-angle.
Klíčová slova

Zpět

Patička