Přejít k obsahu


Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., NOVOTNÝ, I., BRUNCKO, J., GAŠPIERIK, P., ŠUTTA, P., TVAROŽEK, V. Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces. Vacuum, 2012, roč. 86, č. 6, s. 703-706. ISSN: 0042-207X
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Ion sputter etching of ZnO:Ga thin film surfaces
Rok vydání: 2012
Autoři: Ing. Soňa Flickyngerová PhD. , Ing. Marie Netrvalová , Ivan Novotný , Jaroslav Bruncko , Pavol Gašpierik , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Vladimír Tvarožek
Abstrakt CZ: V tomto článku jsou prezentovány výsledky modifikace povrchové morfologie tenkých vrstev ZnO:Ga (GZO) iontově leptané. Vrstvy GZO byly deponované při pokojové teplotě na skleněné substráty Corning v normálním a nakloněném režimu rf diodovým naprašováním z keramického terče ZnO:2%Ga v argonové atmosféře. Iontové leptání bylo vytvořeno RF re-naprašováním tenkých vrstev GZO na substrát. Během rf naprašovacího leptání se měnil pouze leptací čas, zbývající parametry byly následující: tlak argonu 1,3 Pa, rf výkon 250 W (a udržován konstantní).
Abstrakt EN: In this article the modi?cation of surface morphology of ZnO:Ga (GZO) thin ?lms by ion sputter etching is presented. GZO thin ?lms were prepared at room temperature on Corning glass substrates by both normal and oblique angle RF diode sputtering from ZnO:2%Ga ceramic target in Ar gas. Ion sputter etching was performed by RF re-sputtering of GZO thin ?lms on substrates. During RF sputter etching, Ar pressure of 1.3 Pa and RF power of 250 W were kept constant, only the time of sputter etching was changed.
Klíčová slova

Zpět

Patička