Přejít k obsahu


Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition

Citace: [] FLICKYNGEROVÁ, S., NETRVALOVÁ, M., ŠUTTA, P., NOVOTNÝ, I., TVAROŽEK, V., GAŠPIERIK, P., BRUNCKO, J. Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition. Thin Solid Films, 2011, roč. 520, č. 4, s. 1233-1237. ISSN: 0040-6090
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Effects of sputtering power and pressure on properties of ZnO:Ga thin films prepared by oblique-angle deposition
Rok vydání: 2011
Místo konání: Amsterdam
Název zdroje: Elsevier
Autoři: Ing. Soňa Flickyngerová PhD. , Ing. Marie Netrvalová , Doc. RNDr. Pavol Šutta Ph.D. , Ivan Novotný , Vladimír Tvarožek , Pavol Gašpierik , Jaroslav Bruncko
Abstrakt CZ: V tého práci je prezentován effekt změny výkonu a tlaku při rf diodovém naprašování při odkloněném uspořádání (80°). Nakloněné naprašování tenkých vrstev ZnO:Ga vede k odkloněné kolumnární krystalické struktuře s odloněním od osy c průměrně o 9° od povrchu substrátu. Bylo dosaženo zlepšení strukturních, elektrických a optických vlastností v porovnání s vrstvami deponovaným kolmo na substrát. Vrstvy GZO naprašované rf výkonem = 600 W při pokojové teplotě na substráty v argonové atmosféře při tlaku 1,3 Pa ukazovali silnou krystalinitu s (002) texturou, nejnižší elektrickou rezistivitu 3.4×10?3 ?cm, nejvyšší elektonovou pohyblivost 10cm2/Vs, vysokou elektronovou koncentraci 1.8×1020 cm?3 a dobrou optickou propustnost vyšší než 88%.
Abstrakt EN: The effects of power and pressure on RF diode sputtering in oblique-angle (80°) deposition arrangement are presented. Oblique-angle sputtering of ZnO:Ga (GZO) thin films resulted in a tilted columnar crystalline structure and inclination of the c-axis by an angle of approximately 9° with respect to the substrate. This improved their structural, electrical and optical properties in comparison with films deposited perpendicularly to the substrate. GZO films sputtered by an RF power of 600W at room temperature of the substrate in Ar pressure 1.3Pa showed strong crystalline (002) texture, lowest electrical resistivity 3.4×10?3 ?cm, highest electron mobility 10cm2/Vs, high electron concentration 1.8×1020 cm?3 and good optical transparency up to 88%.
Klíčová slova

Zpět

Patička